| 主权项 |
1.一种清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,包括:在具有一钨插塞之一基底上有一金属层,且该金属层已经利用一光阻层完成图案化的步骤,部分该钨插塞露出来;进行一微波灰化制程以去除该光阻层;利用一防钨腐蚀处理,以进行该钨插塞的防腐蚀;以及剥除残留的该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该防钨腐蚀处理所使用之电浆配方包括水气。3.如申请专利范围第1项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该防钨腐蚀处理所使用之电浆配方包括四氟化碳与三氟甲烷其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该防钨腐蚀处理的处理条件包括一第一处理条件与一第二处理条件其中之一。5.如申请专利范围第4项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该第一处理条件包括:压力约在1-2T之间;能量在800-1600WRF之间;温度在200-300℃之间;水气的流量在60-300sccm之间;四氟化碳与三氟甲烷其中之一的流量在30-150sccm之间;氮气的流量在150-300sccm之间;以及氧气的流量在1500-300sccm之间。6.如申请专利范围第5项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该第一处理条件所使用之H2O的流量与四氟化碳的流量的比例大于等于1且小于4。7.如申请专利范围第5项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该第一处理条件所使用之H2O的流量与三氟甲烷的流量的比例大于等于1且小于4。8.如申请专利范围第4项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该第二处理条件包括:压力在700-1200mt之间;能量在800-1200WRF之间;水气的流量在60-400sccm之间;四氟化碳与三氟甲烷其中之一的流量在30-200sccm之间;以及氧气的流量在600-1800sccm之间。9.如申请专利范围第8项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该第二处理条件所使用之水气的流量与四氟化碳的流量的比例约大于等于1且小于4。10.如申请专利范围第1项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中剥除残留的该光阻层的方法包括利用可以去除有机残留物的溶剂进行剥除与乾式蚀刻其中之一。11.如申请专利范围第1项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该微波灰化制程是利用无线电式灰化机进行的。12.一种清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,包括:在具有一钨插塞之一基底上有一金属层,且该金属层已经利用一光阻层完成图案化的步骤,部分该钨插塞暴露出来;进行一微波防腐蚀灰化制程,以去除该光阻层并于该钨插塞上形成保护层;以及剥除残留的该光阻层。13.如申请专利范围第12项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该微波防腐蚀灰化制程所使用之电浆配方包括氮气与氧气与水气。14.如申请专利范围第12项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该微波防腐蚀灰化制程而使用之电浆配方包括四氟化碳与三氟甲烷其中之一。15.如申请专利范围第12项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该微波防腐蚀灰化制程的处理条件包括:能量在1000-2000W之间;水气的流量在100-1000sccm之间;四氟化碳与三氟甲烷其中之一的流量在100-500sccm之间;氮气的流量在0-400sccm之间;以及压力在1000-3200mt之间。16.如申请专利范围第15项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该微波防腐蚀灰化制程的处理条件所使用之水气的流量与四氟化碳的流量的比例约大于等于1且小于4。17.如申请专利范围第15项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该微波防腐蚀灰化制程的处理条件所使用之水气的流量与三氟甲烷的流量的比例约大于等于1且小于4。18.如申请专利范围第12项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中剥除残留的该光阻层的方法包括利用可以去除有机残留物的溶剂进行剥除与乾式蚀刻其中之一。19.如申请专利范围第12项所述之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的方法,其中该微波防腐蚀灰化制程是利用无线电式灰化机进行的。图式简单说明:第1A图至第1C图是习知清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的流程剖面图;第2图是依照本发明一较佳实施例一种清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层之步骤流程图;第3A图至第3D图是依照第2图所绘示之清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的流程剖面图;第4图是依照本发明另一较佳实施例一种清除钨插塞(other metal)上用来图案化金属层之光阻层之步骤流程图;以及第5A图至第5C图是依照依照第4图所绘示之一种清除钨插塞上用来图案化金属层之光阻层的流程剖面图。 |
