| 摘要 |
자체 정렬된 금속 확산 장벽을 갖는 마이크로 전자 디바이스가 개시된다. 그 디바이스는 기판(2) 및 그 기판위에 있는 유전체층(4)을 갖는다. 내벽을 갖는 트렌치가 유전층(4)를 통해 형성된다. 장벽금속(6)의 라이닝이 상기 트렌치의 내벽위에 있으며, 충진금속(8)이 상기 트렌치의 내벽상의 라이닝사이에 트렌치내에 있다. 충진금속(8)과 장벽금속(6)은 본질적으로 다른 제거선택성을 갖는다. 장벽금속의 커버링 14가 충진금속상에 있으며 그리고 그 커버링은 트렌치의 내벽에서 라니잉에 걸쳐있으며 트렌치내의 충진금속의 상단면에 일치한다. |
