| 主权项 |
1.一种降低无边界接触窗漏电流的方法,该方法至少包含:在一主动区域光罩的外侧角落执行一光学邻近效应修正技术以增大在光学微影制程中在一底材上的一主动区域之外部角落的面积,其中在该主动区域的外部角落是用于接出一无边界接触窗;藉由增大该主动区域的外部角落面积以增加该无边界接触窗与该主动区域的重叠区域面积,以及降低该无边界接触窗漏电流。2.如申请专利范围第1项之降低无边界接触窗漏电流的方法,其中该主动区域至少包含一电子元件。3.如申请专利范围第1项之降低无边界接触窗漏电流的方法,其中该无边界接触窗在该底材上的一介电层中形成。4.如申请专利范围第3项之降低无边界接触窗漏电流的方法,其中该介电层至少包含二氧化矽。5.一种降低无边界漏电流的方法,该方法至少包含:在光学微影制程中,在一主动区域光罩的外部角落执行一光学邻近效应修正技术使得在一底材上形成一主动区域,以增大该主动区域的外部角落面积;在该底材上沉积一介电材料;以及在该介电层形成一无边界接触窗以接触该主动区域的外部角落,藉以放大该主动区域的外部角落面积增加该无边界接触窗及该主动区域之间的重叠区域面积,以及降低无边界接触窗漏电流。6.如申请专利范围第5项之降低无边界漏电流的方法,其中该主动区域至少包含一电子元件。7.如申请专利范围第5项之降低无边界漏电流的方法,其中该介电层至少包含二氧化矽。8.一种使用光学邻近效应修正来降低无边界接触窗漏电流的方法,包含:提供一底材;在该底材上形成一L-型扩散区域,其中在光学微影制程中利用光学邻近效应修正方法增大在该扩散区域外部角落的面积;在该扩散区域形成一电子元件;在该底材沉积一介电层;以及在该介电层形成一无边界接触窗连接该扩散区域的外部角落,藉以增大该主动区域的外部角落面积增加该无边界接触窗和该主动区域的重叠区域,同时降低无边界接触窗漏电流。9.如申请专利范围第8项之降低无边界接触窗漏电流的方法,其中该扩散区域至少包含一电子元件。10.如申请专利范围第8项之降低无边界接触窗漏电流的方法,其中该介电层至少包含二氧化矽。图式简单说明:第一图为在一金属氧化物半导体电晶体之传统的无边界接触窗示意图;第二图为一在底材上一L-型扩散区域在扩散区域的外部角落具有一无边界接触窗的示意图;第三图为一在底材上一L-型扩散区域在扩散区域的内部角落具有一无边界接触窗的示意图;第四图为一藉由在底材上照光产生一图案及一无边界接触窗在图案的外部角落的示意图。第五图为藉由在底材上照光产生一图案及一无边界接触窗在图案的内部角落的示意图。第六图是一光罩根据本揭露的方法以克服圆形效应的示意图;以及第七图是根据本揭露方法一无边界接触窗在一扩散区域的外部角落的示意图。 |
