发明名称 |
激光退火装置及激光退火工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种激光退火装置,适用于一激光退火工艺。此激光退火装置包括一激光加工模块、一电阻量测模块以及一主机电路模块。其中激光加工模块系提供一激光束至一非晶硅薄膜,以使其再结晶形成一多晶硅薄膜,而电阻量测模块适于量测多晶硅薄膜的方块电阻,以得到一方块电阻值。此外,主机电路模块根据所测得的方块电阻值对应输出一反馈讯号至激光加工模块,以调整激光束的能量密度至最佳化。此激光退火装置可提供较佳的薄膜品质,并可提高激光退火工艺合格率。 |
申请公布号 |
CN100334704C |
申请公布日期 |
2007.08.29 |
申请号 |
CN200410029536.2 |
申请日期 |
2004.03.18 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
曹义昌;吴焕照;林武雄;林文章 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种激光退火装置,适于对一非晶硅薄膜进行激光退火工艺,其特征在于:该激光退火装置包括:一激光加工模块,提供一激光束至该非晶硅薄膜,以使该非晶硅薄膜再结晶而形成一多晶硅薄膜;一电阻量测模块,适于在形成该多晶硅薄膜后,直接量测该多晶硅薄膜的方块电阻,以得到一方块电阻值;一主机电路模块,电性连接于该激光加工模块与该电阻量测模块之间,该主机电路模块根据该方块电阻值对应输出一反馈讯号至该激光加工模块,以调整该激光束的能量密度至最佳化。 |
地址 |
台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 |