发明名称 |
管状电极相变化存储器的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用以制造存储单元元件的方法,包括:形成底电极,其包括有管状构件、顶、底、以及在垂直于此管状构件的轴向的方向具有厚度的侧壁,并具有环状上表面。在此管状构件的底面形成有碟形构件,其在与此管状构件同轴方向具有厚度、其与此管状构件的侧壁的厚度无关。在此管状构件的上表面沉积并接触有一层可编程电阻材料。顶电极,其与此层可编程电阻材料接触。本发明还公开一种集成电路,其包括由此种存储单元所形成的阵列。 |
申请公布号 |
CN101038951A |
申请公布日期 |
2007.09.19 |
申请号 |
CN200710085585.1 |
申请日期 |
2007.03.12 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
龙翔澜 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);G11C11/56(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
韩宏 |
主权项 |
1.一种用以制造存储器件的方法,包括:形成第一电极,包括有管状构件,该管状构件具有轴向、第一端、第二端、以及在与该管状构件的轴向垂直的方向具有厚度的侧壁,并于该第二端具有环形表面,以及连接至该管状构件该第一端的碟形构件,包括:形成第一电极材料层;形成圆柱于该第一电极材料层上;沉积共形电极材料层于该圆柱以及该第一电极材料层上,以形成以电极材料包覆的圆柱;以及蚀刻该电极材料包覆的圆柱,以从该圆柱的顶端移除电极材料而显露出环形表面;形成可编程电阻材料层,其接触至该管状构件的该环形表面;以及形成第二电极,其接触至该可编程电阻材料层。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |