发明名称 |
写入切换存储器的方法 |
摘要 |
写入切换存储器(112)的电路和方法,特别是MRAM,其中,响应从存储器(112)读取的数据有条件地放弃根据该存储器的切换写入操作,使得仅在写入的新数据与已经存储在存储器(112)中的数据不同时切换存储器状态。 |
申请公布号 |
CN100470665C |
申请公布日期 |
2009.03.18 |
申请号 |
CN03815295.9 |
申请日期 |
2003.04.29 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
约瑟夫·J.·纳哈斯;托马斯·W.·安德利;奇特拉·K.·萨布拉曼尼安;布拉德利·J.·加尼 |
分类号 |
G11C11/16(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1. 一种读取和写入切换存储器的方法,其中该切换存储器是磁电阻随机存取存储器,该方法包括以下顺序的步骤:在切换存储器的预定地址位置开始读取操作;在所述预定地址位置开始进行部分的写入切换操作,而不影响在所述预定地址位置当前存储的值;比较所述预定地址位置当前存储的数据值与待写入所述预定地址位置的新值,从而确定所述新值与所述当前存储的数据值是不同还是相同;如果所述新值与所述当前存储的数据值不同,则完成所述预定地址位置的写入切换操作,或者如果所述待写入的新值与所述当前存储的数据值相同,则终止在所述预定地址位置的写入切换操作。 |
地址 |
美国得克萨斯 |