| 摘要 |
1. Диод, содержащий:полупроводниковый слой, имеющий первую сторону и противоположную первой стороне вторую сторону, при этом полупроводниковый слой имеет толщину между первой стороной и второй стороной, при этом толщина полупроводникового слоя основана на средней длине свободного пробега носителя заряда, эмитированного в полупроводниковый слой;первый металлический слой, осажденный на первой стороне полупроводникового слоя; ивторой металлический слой, осажденный на второй стороне полупроводникового слоя;при этом толщина полупроводникового слоя, которая основана на средней длине свободного пробега носителя заряда, увеличивает величину баллистического переноса носителя заряда через полупроводниковый слой относительно величины баллистического переноса носителя заряда через другой полупроводниковый слой с другой толщиной, которая не зависит от средней длины свободного пробега носителя заряда.2. Диод по п. 1, при этом толщина полупроводникового слоя сравнима со средней длиной свободного пробега носителя заряда, эмитированного в этот полупроводниковый слой, или меньше нее.3. Диод по п. 1, при этом диод имеет предельную частоту, превышающую 100 ТГц.4. Диод по п. 1, при этом диод имеет предельную частоту, превышающую 1000 ТГц.5. Диод по п. 1, при этом первый металлический слой и второй металлический слой содержат одинаковый металл, а граница раздела полупроводникового слоя легирована до состояния вырождения для создания омического контакта.6. Диод по п. 1, при этом первый металлический слой содержит первый металл, второй металлический слой содержит второй металл, а первый металл и второй металл представляют собой разные металлы.7. Диод по п. 6, при это |
