| 摘要 |
적층 결함의 면 밀도가 저감된 SiC 에피택셜 웨이퍼 및 그의 제조 방법이 제공된다. 그러한 SiC 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법은, 오프 각을 갖는 SiC 단결정 기판의 성장면에 존재하는 기저면 전위(BPD) 중 SiC 단결정 기판 상에 형성된, 소정 막 두께의 SiC 에피택셜막에 있어서 적층 결함으로 되는 비율을 결정하는 공정과, 비율에 기초하여, 사용하는 SiC 단결정 기판의 성장면에 있어서의 BPD의 면 밀도의 상한을 결정하는 공정과, 상한 이하의 SiC 단결정 기판을 사용하여, 비율을 결정하는 공정에 있어서 사용한 에피택셜막의 성장 조건과 동일한 조건으로, SiC 단결정 기판 상에 SiC 에피택셜막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. |
