| 摘要 |
산의 확산 성질을 이용 유기막질간 용해도가 차이 나는 막을 형성하고 이를 이용하여 더블 패턴닝 마스크를 만들어 반도체 소자의 미세 패턴 형성하는 방법을 제공한다. 반도체 기판상에 다수의 제 1 마스크 패턴을 형성하고, 상기 다수의 제 1 마스크 패턴 상에 산을 포함하는 결합 캡핑층을 형성하고, 상기 결합 캡핑층에 산을 재제공하는 산 수용액을 제공하여 결합 캡핑층에 산을 재공급하고, 상기 제 1 마스크 패턴 사이사이에 제 2 마스크층을 형성하고, 용해도차를 이용 상기 산이 재공급된 결합 캡핑층을 제거 제 2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제 1 및 제 2 마스크 패턴으로 피식각막을 식각 원하는 패턴을 형성한다. |
