| 摘要 |
Procédé lithographique au laser pour la production de semi-conducteurs, présentant les avantages des procédés d'impression sans contact tout en étant plus rapide que les procédés lithographiques au laser de l'état antérieur de la technique. Selon le procédé, une couche métallique destinée à être façonnée (24) est d'abord recouverte d'une très mince couche de polymère (26), évaporée sous forme d'un monomère, par un procédé de dépôt sous forme de vapeur. Ce procédé permet de créer une très mince couche de polymère sur la couche métallique, que l'on façonne rapidement et aisément au laser pour produire un masque pour l'attaque chimique successive de la couche métallique. La couche de polymère déposée sous forme de vapeur est également essentiellement exempte de défauts et forme un masque de grande qualité pour le procédé d'attaque chimique, ne pouvant être endommagé d'aucune façon par des sources ordinaires telles que les organes d'alignement de masques, mais pouvant être facilement enlevé, par exemple par attaque au plasma. |
