发明名称 CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD CAPABLE OF HIGHLY ACCURATE EXPOSURE IN THE PRESENCE OF PARTIAL UNEVENNESS ON THE SURFACE OF EXPOSED SPECIMEN
摘要 <p>노출되어지는 시료 표면의 부분적인 불균일성을 검출하며 상기 시표 표면의 높이를 조정할 수 있는 대전 입자빔 노출 장치가 개시된다. 이 대전 입자빔 노출 장치는 대전 입자빔 소스, 대전 입자빔 성형기(shaper), 상기 대전 입자빔이 상기 시료 위에 방출되어지는 위치를 변화시키기 위한 편향기, 상기 시료 위에 상기 대전 입자빔을 조사(projecting)하기 위한 조사기, 및 노출 시에 상기 편향기와 상기 조사기를 제어하기 위한 제어 유닛을 포함한다. 집중되고 적절하게 편향되는 대전 입자빔에 의해 임의의 패턴이 상기 시료 위에 그려진다. 상기 장치는 상기 장치 내에 상기 시료를 이동시키기 위한 스테이지와, 상기 시료가 상기 장치에 적재되어 있는 동안 적어도 미리 결정된 밀도를 가지는 상기 시료의 미리 결정된 범위 내의 높이 분포를 측정하기 위한 높이 측정 유닛을 더 포함한다.</p>
申请公布号 KR100334636(B1) 申请公布日期 2002.04.27
申请号 KR19990028182 申请日期 1999.07.13
申请人 null, null 发明人 야마다아키오;오카와타쭈로
分类号 G02F1/1335;G03F7/20;G03F7/207;H01J37/302;H01J37/317 主分类号 G02F1/1335
代理机构 代理人
主权项
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