CIRCUIT DE PROTECTION D'ENTREE/SORTIE AYANT UNE STRUCTURE SILICIUM SUR ISOLANT

摘要

Un circuit de protection d'entrée/sortie comprend un transistor MOS à canal P (34) connecté entre une borne d'entrée (30) et une ligne d'alimentation (32), et un transistor MOS à canal N (35) connecté entre la borne d'entrée (30) et une ligne de masse (33). Des électrodes de grille (34a, 35a) des deux transistors (34, 35) sont flottantes. Les transistors (34, 35) peuvent être remplacés par des diodes à grilles. En outre, des électrodes de grille peuvent être formées à partir de la même couche qu'une électrode de grille qui est incorporée pour le blindage de champ.