| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un convertisseur analogique/numérique, dans lequel un étage de mémorisation reçoit le résultat d'une série de comparaisons d'une tension analogique d'entrée Vin avec un jeu de tensions de référence Vi (pour i=0 à Q).<BR/>Selon l'invention, chaque cellule mémoire Mi (pour i=0 à Q) qui compose l'étage de mémorisation comporte N bascules dites bascules mémoire L0, L1,...LN-1, un multiplexeur Mx et un module logique CL dit module de commande. Toutes les entrées de données des bascules mémoire L0, L1,...LN-1 sont reliées ensemble à l'entrée de données de la cellule mémoire Mi. La même bascule mémoire (pour j=0 à N-1) reçoit sur son entrée d'horloge le signal d'horloge retardé, par l'intermédiaire d'une cellule à retard, de j.T/N, où T est la période du signal d'horloge. Les sorties de données des N bascules mémoire L0, L1,...LN-1 sont reliées aux N entrées de données du multiplexeur Mx dont les P entrées de commande reçoivent les P sorties SeL0, SeL1,...SeLP-1 du module de commande CL telles que le multiplexeur Mx délivre sur sa sortie, pendant chaque (j+1)ème fraction de période de durée T/N, le signal de sortie de la même bascule mémoire Lj.<BR/>Une telle structure des cellules mémoire permet de minimiser l'influence des phénomènes de métastabilité dont les effets peuvent engendrer des erreurs lors de la mémorisation des signaux analogiques de sortie des comparateurs.<BR/>Application: convertisseur analogique/numérique à fréquence d'échantillonnage élevée.</P>
|
