| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌结构之蚀刻后的清洗方法,该方法包括:提供一基底,该基底上已形成一介电层与一帽盖层,且该介电层与该帽盖层中已经由一蚀刻制程形成一双重金属镶嵌开口,该双重金属镶嵌开口裸露出该基底之一金属层;进行一第一湿式清洗步骤,该第一湿式清洗步骤之清洗液包括过氧化氢与苯并三唑之水溶液;以及进行一第二湿式清洗步骤,该第二湿式清洗步骤之清洗液包括稀释之氢氟酸溶液。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之蚀刻后的清洗方法,其中该过氧化氢与苯并三唑溶液之过氧化氢与水的体积比为1:80至1:25。3.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之蚀刻后的清洗方法,其中该过氧化氢与苯并三唑溶液之苯并三唑的浓度为0.5ppm至5ppm。4.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之蚀刻后的清洗方法,其中该稀释之氢氟酸溶液之氢氟酸与水的体积比为1:600至1:500。5.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之蚀刻后的清洗方法,其中该金属层之材质包括铜。6.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之蚀刻后的清洗方法,其中该介电层之材质包括具有低介电常数之旋涂式高分子。7.一种蚀刻后的清洗方怯,该方法包括:提供一基底,该基底上已形成一介电层与一帽盖层,且该介电层与该帽盖层中已经由一蚀刻制程形成一开口,该开口裸露出该基底之一金属层;进行一第一湿式清洗步骤,该第一湿式清洗步骤之清洗液包括含有一氧化剂与一试剂,该试剂系用以减缓该金属层与该氧化剂发生氧化;以及进行一第二湿式清洗步骤,该第二湿式清洗步骤之清洗液包括一无机酸溶液。8.如申请专利范围第7项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该氧化剂系足以使该蚀刻制程所形成之一高分子以及该金属层表面之一有机物质氧化者。9.如申请专利范围第8项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该氧化剂包括过氧化氢。10.如申请专利范围第8项所述之蚀刻后的清洗方法,其中过氧化氢与水的体积比为1:80至1:25。11.如申请专利范围第8项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该试剂包括可以与该金属层之金属发生螯合之一螯合剂,该螯合剂可以减缓该氧化剂与该金属层发生氧化的程度者。12.如申请专利范围第11项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该螯合剂包括苯并三唑。13.如申请专利范围第12项所述之蚀刻后的清洗方法,其中苯并三唑的浓度为0.5ppm至5ppm。14.如申请专利范围第7项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该无机酸系用以去除该氧化剂与该金属层所形成之一金属氧化物。15.如申请专利范围第7项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该无机酸包括氢氟酸水溶液。16.如申请专利范围第15项所述之蚀刻后的清洗方法,其中氢氟酸溶液中之氢氟酸与水的体积比为1:600至1:500。17.如申请专利范围第7项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该介电层之材质包括具有低介电常数之旋涂式高分子。18.如申请专利范围第7项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该金属层之材质包括铜。19.如申请专利范围第7项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该开口为双重金属镶嵌开口、介层窗开口、接触窗开口与沟渠其中之一。20.如申请专利范围第7项所述之蚀刻后的清洗方法,其中该帽盖层之材质包括氮化矽,且蚀刻该帽盖层之蚀刻气体包括二氟甲烷/氧气/氩气。图式简单说明:第1图系绘示习知一种具有双重金属镶嵌开口结构之半导体元件之剖面示意图。第2图系依照本发明实施例所绘示之一种具有双重金属镶嵌开口结构之半导体元件剖面示意图。第3图系依照本发明实施例所绘示之一种具有介层窗开口结构之半导体元件之剖面示意图。第4图系依照本发明实施例所绘示之一种具有沟渠结构之半导体元件之剖面示意图。第5图系系依照本发明实施例所绘示之蚀刻介电层、帽盖层之后之清洗步骤的流程图。 |
