动态随机存取存储器结构及其制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器结构及其制造方法,包含在半导体基底上形成一电容结构、一埋藏的位元线结构与一字元线结构,电容结构垂直对准字元线结构上方,至于埋藏的位元线结构则垂直对准字元线结构下方。此种结构将字元线结构垂直形成于一窄的元件凹洞中,上下包夹绝缘层,可以减少在半导体基底上所占的面积。

主权项

1一种动态随机存取存储器的制造方法，其在一半导体基底上形成一电容结构与一晶体管结构，该电容结构垂直对准该晶体管结构，该方法包含下列步骤：(a)在该半导体基底上形成一第一绝缘层；(b)在该第一绝缘层中形成多个沟槽；(c)在所述多个沟槽中淀积一导电层；(d)蚀刻部分该导电层表面，使该导电层陷入所述多个沟槽中，形成多个位元线的结构；(e)在所述多个位元线与该第一绝缘层上淀积一第二绝缘层，并进行平坦化步骤，使该第二绝缘层具有平坦的表面；(f)在该第二绝缘层上淀积一第一导电层；(g)在该第一导电层上形成一薄的氧化硅层；(h)设定该薄的氧化硅层与该第一导电层的图案，使得在该第二绝缘层上形成一字元线的结构；(i)在该字元线旁侧形成一金属硅化物的间隙壁；(j)在该字元线与该第二绝缘层上淀积一第三绝缘层；(k)进行光刻与蚀刻步骤，设定图案并依序蚀刻该第三绝缘层、该字元线、该第二绝缘层与该第一绝缘层，直到露出该位元线，形成一窄的元件凹洞；(l)在该元件凹洞的侧壁露出该字元线的部分形成一栅极绝缘层；(m)在该元件凹洞中淀积一第一非晶硅层，并设定图案，蚀刻该第一非晶硅层而在该元件凹洞的侧壁上形成一非晶硅侧壁；(n)在该元件凹洞中淀积一第二导电层；(o)进行离子注入步骤，对位于该第三绝缘层上的该第二导电层进行离子掺杂，以及对该元件凹洞底部的该第二导电层进行离子掺杂，至于在该元件凹洞侧壁的该第二导电层则未掺杂离子；(p)在该元件凹洞中淀积一第二非晶硅层，用以填满该元件凹洞；(q)进行一退火步骤，使得该第二非晶硅层、该第二导电层与该第一非晶硅层成为单晶硅层，并进行多次不同剂量的离子掺杂步骤，在该元件凹洞中由下而上依序形成一第一浓掺杂源极/漏极区、一第一浅掺杂源极/漏极区、一单晶硅层与一第二浓掺杂源极/漏极区，该单晶硅层与该字元线的侧边相连接，于是形成垂直的该晶体管结构；(r)在该第二浓掺杂源极/漏极区上淀积一第三导电层；(s)设定该第三导电层的图案，以形成一储存结点，该储存结点位于该第二浓掺杂源极/漏极区上；(t)在该储存结点上淀积一介电层；(u)在该介电层上淀积一第四导电层；以及(v)设定该第四导电层的图案，于是形成该电容的结构。