| 主权项 |
1.一种半导体装置,其系具备被形成于绝缘物上的半导体层之半导体装置,其特征为:具有于前述半导体层至少被形成通道区域的电晶体,及遮住前述电晶体的遮光层;系电气接续前述遮光层与前述电晶体的通道区域而构成的。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述电晶体系N通道型电晶体,对于与前述N通道型电晶体的通道区域电气接续的前述遮光层,供给低电位侧的电源电位。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述电晶体系N通道型电晶体,对于与前述N通道型电晶体的通道区域电气接续的前述遮光层,供给被施加于前述N通道型电晶体的源极/汲极区域的一方的电位之最低电位以下的电位。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述电晶体系P通道型电晶体,对于与前述P通道型电晶体的通道区域电气接续的前述遮光层,供给高电位侧的电源电位。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述电晶体系P通道型电晶体,对于与前述P通道型电晶体的通道区域电气接续的前述遮光层,供给被施加于前述P通道型电晶体的源极/汲极区域的一方的电位之最高电位以上的电位。6.如申请专利范围第1.2.3.4或5项之半导体装置,其中前述电晶体的通道区域的半导体层被延伸形成同一导电型的接触区域,前述接触区域与前述遮光层系透气接续的。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中前述接触区域,系较前述通道区域具有较高的不纯物浓度。8.如申请专利范围第1.2.3.4或5项之半导体装置,其中前述遮光层,被配置为覆盖住前述电晶体的上方。9.一种半导体装置,系具备被形成于绝缘物上的半导体层之半导体装置,其特征为:具有:于前述半导体层至少被形成通道区域的P通道型电晶体以及N通道型电晶体,及遮住前述P通道型电晶体的第1遮光层,及遮住前述N通道型电晶体的第2遮光层;前述第1遮光层与前述第2遮光层系被分离配置;电气接续前述第1遮光层与前述P通道型电晶体的通道区域,电气接续前述第2遮光层与前述N通道型电晶体的通道区域。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中对前述第1遮光层供给高电位侧的电源电位,对前述第2遮光层供给低电位侧的电源电位。11.如申请专利范围第9或10项之半导体装置,其中前述P通道型电晶体以及前述N通道型电晶体的通道区域的半导体层分别被延伸形成分别的同一导电型之接触区域,前述各接触区域系与前述各遮光层电气接续。12.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中前述P通道型电晶体与前述N通道型电晶体构成电气光学装置的驱动电路构成。13.一种电气光学装置用基板,其系于每个在基板上被形成为矩阵状的复数像素区域配置电晶体之电气光学装置,其特征为:于前述基板上被形成成为前述电晶体的通道区域的半导体层,该成为通道区域的半导体层,被电气接续于遮住该电晶体且被施加以指定电位的遮光层。14.如申请专利范围第13项之电气光学装置用基板,其中前述电晶体系N通道型电晶体,对于前述遮光层供给较被施加于前述电晶体的影像讯号的电位更低的电位。15.如申请专利范围第13项之电气光学装置用基板,其中前述电晶体系P通道型电晶体,对于前述遮光层供给较被施加于前述电晶体的影像讯号的电位更高的电位。16.如申请专利范围第13项之电气光学装置用基板,其中前述电晶体系N通道型电晶体,于前述遮光层,被施加控制前述N通道型电晶体的导通/非导通的扫描讯号之非选择电位。17.如申请专利范围第13项之电气光学装置用基板,其中前述电晶体系P通道型电晶体,于前述遮光层,被施加控制前述P通道型电晶体的导通/非导通的扫描讯号之非选择电位。18.如申请专利范围第13.14.15.16或17项之电气光学装置用基板,其中前述电晶体的通道区域的半导体层被延伸形成同一导电型的接触区域,前述接触区域与前述遮光层电气接续。19.如申请专利范围第18项之电气光学装置用基板,其中前述接触区域,系较前述通道区域具有较高的不纯物浓度。20.如申请专利范围第13.14.15.16或17项之电气光学装置用基板,其中前述遮光层,被配置为平面重叠于控制前述电晶体的导通/非导通的扫描讯号所被施加的扫描线的上方。21.如申请专利范围第20项之电气光学装置用基板,其中于成为前述电晶体的通道区域的半导体层的前述基板侧,进而有遮光层被以平面重叠的方式配置。22.如申请专利范围第13项之电气光学装置用基板,其中于前述像素区域的周边之前述基板上配置周边电路,成为构成前述周边带路的电晶体的通道区域的半导体层,系被电气接续于遮住该电晶体的遮光层。23.如申请专利范围第22项之电气光学装置用基板,其中前述周边电路系由P通道型电晶体以及N通道行电晶体所构成,具有:遮住前述P通道型电晶体的第1遮光层,与遮住前述N通道型电晶体的第2遮光层;前述第1遮光层与前述第2遮光层系被分离配置;电气接续前述第1遮光层与前述P通道型电晶体的通道区域,电气接续前述第2遮光层与前述N通道型电晶体的通道区域。24.如申请专利范围第22或23项之电气光学装置用基板,其中前述像素区域的遮光层与前述周边电路的遮光层系由同一层所形成的。25.如申请专利范围第22或23项之电气光学装置用基板,其中前述像素区域的遮光层,与前述周边电路的配线层系由同一层所形成的。26.如申请专利范围第23项之电气光学装置用基板,其中前述像素区域的电晶体系N通道型电晶体,把对于前述像素区域的遮光层与前述周边电路的N通道型电晶体的遮光层所施加的电位作为接地电位。27.如申请专利范围第23项之电气光学装置用基板,其中前述像素区域的电晶体系P通道型电晶体,把对于前述像素区域的遮光层与前述周边电路的P通道型电晶体的遮光层所施加的电位作为接地电位。28.如申请专利范围第13项之电气光学装置用基板,其中前述基板系由绝缘物质所构成的。29.如申请专利范围第13项之电气光学装置用基板,其中前述基板系由石英所构成的。30.如申请专利范围第13项之电气光学装置用基板,其中前述基板系由绝缘物质所构成的。31.一种电气光学装置,其特征为:系如申请专利范围第13至30项之任一项之电气光学装置用基板,与相对方向的基板被配置为具有间隙,同时于该间隙内被封入电气光学材料。32.一种电子机器,其特征为使用申请专利范围第31项所记载的电气光学装置作为显示装置。33.一种投影型显示装置,其特征为具备:光源,及藉由调变由前述光源所发出的光线的申请专利范围第31项所记载的电气光学装置,及投射出藉由前述电气光学装置而被调变的光的投射光学手段。图式简单说明:第1图系显示本发明的第1实施型态之液晶面板用基板之像素部的平面图。第2图系显示第1图的X-X′剖面之剖面图。第3图系显示本发明的第1实施型态之液晶面板用基板之像素部的半导体层的活性区域配置的平面图。第4图系显示本发明的各实施型态之液晶面板用基板的像素部的从半导体层至铝层为止的配置之平面图。第5图系本发明的各实施型态之液晶面板的像素部的等价电路图。第6图系第5图的等价电路之驱动波形图。第7图系显示本发明的第2实施型态之液晶面板用基板的像素部的剖面之剖面图。第8图系显示本发明的第2实施型态之液晶面板用基板的像素部的半导体层的活性区域配置的平面图。第9图系本发明的液晶面板用基板的平面图。第10图系本发明的液晶面板的剖面图。第11图系显示构成周边电路的互补型反相器的平面配置图。第12图系本发明的投射型显示装置的光学构成图。第13图系本发明的投射型显示装置的光学构成图。第14图系本发明的电子机器的概观图。 |
