发明名称 用于平面溅镀的二维磁电管扫描
摘要 现提供一种置于一矩形靶材后方的矩形磁电管,其可增强一配设用以将靶材材料溅镀于一矩形面板上的溅镀反应器中的等离子体。该磁电管尺寸仅略小于靶材,而且它是以该靶材(具扫描长度,例如2m靶材的扫描长度即为100mm)的两垂直方向作扫描。该扫描可依循一双Z字形图案沿两平行一靶材侧及两连接的对角线的路线进行。该磁电管包括一封闭等离子体回路,而该等离子体回路是呈回旋形式,例如具有一几乎固定宽度且沿一单一路径延伸的蜿蜒式或矩形螺旋式内磁极,且该内磁极具有一磁性,并且完全由具有相反磁性的外磁极所环绕。
申请公布号 CN101144150A 申请公布日期 2008.03.19
申请号 CN200710166903.7 申请日期 2005.01.07
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 阿维·泰奥曼
分类号 C23C14/34(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 陆嘉
主权项 1.一种用于一矩形靶材后方以将该靶材材料溅镀于一矩形基材上的磁电管,其特征在于,至少包含:一内磁极,其具有一垂直于一平面的第一磁性,该内磁极是沿该平面中一具两端点的单一路径延伸并包括数个笔直部,其中至少部分笔直部是分别沿一呈回旋图案的矩形坐标延伸;以及一外磁极,其具有一相对于该第一磁性的第二磁性,该外磁极是环绕该内磁极,其间还以一间隙相隔。
地址 美国加利福尼亚州