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DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ COM BASE EM SÍLICIO POROSO UTILIZANDO O àXIDO DE ESTANHO DOPADO COM FLéOR (ETO) COMO ELETRODO TRANSPARENTE. O silício é um dos materiais semicondutores mais utilizados na industria da microeletrônica; dispositivos de memória, transistores, diodos, fotodeteetores, células solares são fabricados com este material. Apenas diodos emissores de luz e lasers não são fabricados devido a característica deste material não possuir luminescência na faixa da luz visível. Este fato mudou quando o silício na forma porosa, contando com nanoporos ou nanocristalitos, apresentou capacidade luminescente na faixa da luz visível. A presente patente de invenção tem por objeto o dispositivo emissor de luz com base em Silício Poroso utilizando o óxido de estanho dopado com flXior (FTO) como eletrodo. Este eletrodo mostrou-se mais adequado ao uso com sílicio poroso, pois através da criação de uma camada passivante aumentou o tempo de vida dos diodos emissores de luz baseados em silicio poroso.
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