| 摘要 |
1. Полупроводниковый детектор излучения, содержащий подложку (103) из полупроводникового материала, на первой стороне которой в указанном далее порядке расположены: ! слой (104, 304) модифицированного внутреннего затвора (МВ3) из полупроводника с электропроводностью второго типа, ! запирающий слой (105) из полупроводника с электропроводностью первого типа и ! пиксельные легирования (111, 112, 1331, 1332, 1333, 1334, 2206) полупроводником с электропроводностью второго типа, выполненные с возможностью создания соответствующих им пикселей при приложении хотя бы одного пиксельного напряжения, ! отличающийся тем, что: ! содержит первый контакт из полупроводника с электропроводностью первого типа, причем указанное пиксельное напряжение определяется как разность потенциалов между пиксельным легированием и первым контактом, а ! подложка (103) обладает электропроводностью первого типа. ! 2. Детектор излучения по п.1, отличающийся тем, что несколько пиксельных легирований (111, 112, 1331, 1332, 1333, 1334, 2206) образуют внутрипиксельный транзистор, построенный на пиксельном легировании, причем указанный транзистор может быть как полевым, так и биполярным, а детектор излучения содержит цепь считывания сигнального заряда, адаптированную для измерения электрических характеристик внутрипиксельных транзисторов, связанных с размерами эффективного канала или базы внутрипиксельных транзисторов. ! 3. Детектор излучения по п.2, отличающийся тем, что цепь считывания сигнального заряда адаптирована для измерения электрических характеристик внутрипиксельного транзистора, связанных с уменьшением ширины канала или базы, вызываемым индуцированными излучением дыркам |
