| 主权项 |
1.一种半导体装置,系由:以多数支撑引线支撑之突出部;包围上述突出部周缘般配置的多数引线;搭载于上述突出部之一主面,电连接上述多数引线之一主面的半导体晶片;及封装上述多数引线及上述半导体晶片及上述突出部的封装树脂构成;其特征为:在与上述多数引线之上述一主面位于相反侧的另一主面系由上述封装树脂露出,且上述突出部之厚度小于上述多数引线之厚度。2.一种半导体装置,系由:以多数支撑引线支撑之突出部;包围上述突出部周缘般配置的多数引线:搭载于上述突出部上,电连接上述多数引线的半导体晶片;及使上述多数引线之下面侧露出般封装上述多数引线及上述半导体晶片及上述突出部的封装树脂构成;其特征为:令上述突出部形成较上述引线薄,俾以上述封装树脂覆盖上述突出部之下面侧。3.一种半导体装置,系由:搭载于突出部上之半导体晶片;封装上述突出部及半导体晶片的封装树脂;及电连接上述半导体晶片之一部分由上述封装树脂之一面露出的引线构成;其特征为:上述突出部形成较上述引线薄。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其中上述引线系平坦。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其中上述突出部系藉部分蚀刻(half-etching)加工形成较薄。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其中上述突出部系藉压印(coining)加工形成较薄。7.一种半导体装置,系由:搭载于突出部上之半导体晶片;封装上述突出部及半导体晶片的封装树脂;及由上述封装树脂之下面露出,电连接上述半导体晶片的引线构成;其特征为:上述突出部及上述引线之于突出部侧之端部形成较上述引线之其他端部薄。8.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其中上述引线之于突出部侧之端部系形成较其他端部薄。9.如申请专利范围第1.2.3.7项中任一项之半导体装置,其中上述突出部及上述引线之于突出部侧之端部系藉部分蚀刻(half-etching)加工形成较薄。10.如申请专利范围第1.2.3.7项中任一项之半导体装置,其中上述突出部及上述引线之于突出部侧之端部系藉压印(coining)加工形成较薄。11.如申请专利范围第1.2.3.7项中任一项中任一项之半导体装置,其中由上述封装树脂露出之引线系Pb-Sn系或Sn-Ag系或Sn-Zn系或Pb被施以电镀处理。12.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:准备具多数个由多数引线、形成较上述多数引线薄的突出部、及支撑上述突出部的支撑引线构成的引线框架之矩阵引线框架的工程;于上述引线框架之突出部上搭载半导体晶片的晶片接合工程;令上述半导体晶片及上述引线框架之多数引线以导线接合的导线接合工程;使上述多数引线之下面侧露出般令上述引线框架及半导体晶片及导线以封装树脂封装的树脂封装工程;及在上述矩阵引线框架以上述树脂封装工程封装之封装区域附近切断成多数之单位引线部俾得多数半导体装置的切断工程。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中上述矩阵引线框架之引线被施以外装处理。14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中上述外装处理系Pb电镀处理。15.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:准备具多数个由多数引线、形成较上述多数引线薄的突出部、及支撑上述突出部的支撑引线构成的引线框架之矩阵引线框架的工程;于上述引线框架之突出部上搭载半导体晶片的晶片接合工程;令上述半导体晶片及上述引线框架之多数引线以导线接合的导线接合工程;使上述多数引线之下面侧露出般令上述引线框架及半导体晶片及导线以封装树脂封装的树脂封装工程;对由上述树脂封装工程封装之封装区域露出之多数引线施以外装处理的外装处理工程;及在上述矩阵引线框架以上述树脂封装工程封装之封装区域附近切断成多数之单位引线部俾得多数半导体装置的切断工程。16.如申请专利范围第12至15项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述树脂封装工程系藉传递模塑法(transfer-mould)进行。17.如申请专利范围第12至15项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述切断工程系藉切断模型切断。18.如申请专利范围第12至15项中任一项之半导体装置之制造方法,其中上述切断工程系藉切割刀(dicing blade)切断。19.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中上述外装处理工程系对Pb-Sn系或Sn-Ag系或Sn-Pb之电镀处理。20.一种半导体装置之安装构造,其特征为:安装基板之配线与申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置之引线之其他主面系藉接合材连接。21.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;具备支撑上述突出部之支撑部,及与其连接、露出于上述封装部之于半导体装置侧之面的露出部,上述支撑部较上述露出部形成更薄的多数突出部支撑引线;配置于上述突出部周围,露出于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面的多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的连接构件;介由上述突出部使上述多数突出部支撑引线连接。22.如申请专利范围第21项之半导体装置,其中上述突出部支撑引线中之上述露出部,系配置于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面之端部。23.如申请专利范围第21项之半导体装置,其中上述突出部支撑引线中之上述支撑部系以封装树脂覆盖之同时,上述露出部配置于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面之周缘部,上述突出部之晶片支撑面与上述突出部支撑引线之晶片配置面系形成同一平坦之面。24.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片,较上述半导体晶片小之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部之突出部支撑引线;配置于上述突出部周围,露出于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面的多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的连接构件;上述突出部与上述半导体晶片系在较上述半导体晶片之上述表面电极更内侧之处接合。25.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部之突出部支撑引线;配置于上述突出部周围之同时,露出于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面,具备相对于厚度方向形成段差的厚肉部,及较该厚肉部薄的薄肉部之多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的连接构件。26.如申请专利范围第25项之半导体装置,其中上述引线之厚肉部露出于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面之周缘部之同时,上述薄肉部以封装树脂覆盖。27.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;具备支撑上述突出部之支撑部,及与其连接、露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面的露出部,上述支撑部较上述露出部形成更薄的多数突出部支撑引线;配置于上述突出部周围之同时,露出于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面,具备相对于厚度方向形成段差的厚肉部,及较该厚肉部薄的薄肉部之多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的连接构件;介由上述突出部使上述多数突出部支撑引线连接。28.如申请专利范围第27项之半导体装置,其中上述突出部支撑引线之上述露出部与上述引线之上述厚肉部系形成同一厚度。29.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部之突出部支撑引线;配置于上述突出部周围,露出于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面的多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的连接构件;上述多数引线之中,在邻接上述突出部支撑引线配置之上述引线之突出部支撑引线侧之前端,设有在与上述突出部支撑引线之间形成沿其之间隙部的切口部。30.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部,具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之端部的露出部之突出部支撑引线;配置于上述突出部周围,具备露出于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面的周缘部之被连接部之多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的连接构件;上述突出部支撑引线之上述露出部之延伸方向之长度,系形成较上述引线之上述被连接部之延伸方向之长度短。31.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部之突出部支撑引线;配置于上述突出部周围,具备朝上述突出部之中心附近接近上述突出部配置的延伸部,及露出于上述封装部之于上述半导体装置安装侧之面之周缘部的被连接部之多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线之上述延伸部的连接构件;上述引线中之上述延伸部系形成较上述被连接部薄,以封装树脂覆盖之同时,在上述被连接部之配置于上述封装部内之露出侧之相反侧之面形成沟部。32.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部之突出部支撑引线;具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之周缘部的被连接部,及在上述突出部侧之端部形成较上述被连接部薄的薄肉部,在上述被连接部之配置于上述封装部内之露出侧之相反侧之面设有沟部的多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线之上述被连接部的连接构件;上述引线之上述薄肉部以封装树脂覆盖之同时,上述连接构件相对于上述被连接部系在较上述沟部更内侧被接合。33.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部之突出部支撑引线;具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之周缘部的被连接部,及在上述突出部侧之端部形成较上述被连接部薄的薄肉部,在上述被连接部之配置于上述封装部内之露出侧之相反侧之面设有沟部的多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线之上述被连接部的连接构件;上述引线之上述薄肉部以封装树脂覆盖之同时,上述连接构件相对于上述被连接部系在较上述沟部更外侧被接合。34.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部之突出部支撑引线;具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之周缘部的被连接部,及在上述突出部侧之端部形成较上述被连接部薄的薄肉部,在上述被连接部之配置于上述封装部内之露出侧之相反侧之面设有内侧及外侧沟部的多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线之上述被连接部的连接构件;上述引线之上述薄肉部以封装树脂覆盖之同时,上述连接构件相对于上述被连接部系在上述外侧沟部与上述内侧沟部之间被接合。35.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部之突出部支撑引线;具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之周缘部的被连接部,在上述被连接部之配置于上述封装部内之露出侧之相反侧之面设有电镀层及沟部的多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线之上述电镀层的连接构件;藉上述沟部可阻止上述电镀层形成时之电镀回流。36.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部,具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之端部的露出部,及跨越上述封装部之外周部之内侧及外侧的薄肉部之突出部支撑引线;配置于上述突出部周围,具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之周缘部的被连接部之多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的连接构件。37.一种半导体装置,系树脂封装型半导体装置,其特征为具有:支撑半导体晶片之突出部;上述半导体晶片以树脂封装形成之封装部;支撑上述突出部,具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之端部的露出部,及跨越上述封装部之外周部之内侧及外侧的沟部之突出部支撑引线;配置于上述突出部周围,具备露出于上述封装部之于半导体装置安装侧之面之周缘部的被连接部之多数引线;及连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的连接构件。38.如申请专利范围第36或37项之半导体装置,其中上述薄肉部或沟部,系形成于上述突出部支撑引线之晶片配置面及相反侧之露出侧之面。39.如申请专利范围第36或37项之半导体装置,其中上述薄肉部或沟部系于上述突出部支撑引线之延伸方向形成长之长圆形。40.如申请专利范围第36或37项之半导体装置,其中于上述突出部支撑引线,上述薄肉部或沟部系被侧壁包围。41.一种树脂封装型半导体装置之制造方法,其特征为具有:准备具有可支撑半导体晶片之突出部,及具备支撑上述突出部之支撑部及与其连接之露出部、且上述支撑部较上述露出部形成较薄之多数突出部支撑引线,及配置于上述突出部周围之多数引线的引线框架之工程;接合上述突出部与半导体晶片之工程;以连接构件连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的工程;令封装树脂回流入上述突出部之晶片支撑面及相反侧之面之同时,以上述封装树脂覆盖上述突出部支撑引线之薄肉部,于半导体装置安装侧之面配置上述多数引线及上述突出部支撑引线之上述露出部对上述半导体晶片进行树脂模制形成封装部的工程;及以上述突出部支撑引线之上述露出部分割上述突出部支撑引线之同时,令上述多数引线由上述引线框架之框部分离的工程。42.一种树脂封装型半导体装置之制造方法,其特征为具有:准备具有较半导体晶片小且可支撑半导体晶片之突出部,及具备支撑上述突出部之支撑部及与其连接之露出部、且上述支撑部较上述露出部形成较薄之多数突出部支撑引线,及配置于上述突出部周围之多数引线的引线框架之工程;在较上述半导体晶片之表面电极更内侧处接合上述突出部与半导体晶片之工程;以连接构件连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的工程;令封装树脂回流入上述突出部之晶片支撑面及相反侧之面之同时,以上述封装树脂覆盖上述突出部支撑引线之薄肉部,于半导体装置安装侧之面配置上述多数引线及上述突出部支撑引线之上述露出部对上述半导体晶片进行树脂模制形成封装部的工程;及以上述突出部支撑引线之上述露出部分割上述突出部支撑引线之同时,令上述多数引线由上述引线框架之框部分离的工程。43.一种树脂封装型半导体装置之制造方法,其特征为具有:准备具有可支撑半导体晶片之突出部,及具备支撑上述突出部之支撑部及与其连接之露出部的突出部支撑引线,及配置于上述突出部周围之同时,具相对于厚度方向形成段差之厚肉部及较其薄之薄肉部的多数引线之引线框架之工程;接合上述突出部与半导体晶片之工程;以连接构件迎接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的工程;令封装树脂回流入上述突出部之晶片支撑面及相反侧之面之同时,以上述封装树脂覆盖上述引线之上述薄肉部及上述突出部支撑引线之上述支撑部,于半导体装置安装侧之面配置上述多数引线之上述厚肉部及上述突出部支撑引线之上述露出部于周缘部,对上述半导体晶片进行树脂模制形成封装部的工程;及以上述突出部支撑引线之上述露出部分割上述突出部支撑引线之同时,令上述多数引线由上述引线框架之框部分离的工程。44.一种树脂封装型半导体装置之制造方法,其特征为具有:准备具有可支撑半导体晶片之突出部,及支撑上述突出部之突出部支撑引线,及配置于上述突出部周围且于被连接部之露出侧及相反侧之面设有内侧及外侧沟部之多数引线的引线框架之工程;接合上述突出部与半导体晶片之工程;以连接构件连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线之上述被连接部中之上述内侧及外侧沟部间之处的工程;令封装树脂回流入上述突出部之晶片支撑面及相反侧之面之同时,于半导体装置安装侧之面配置上述多数引线,对上述半导体晶片进行树脂模制形成封装部的工程;及令上述突出部支撑引线及上述多数引线由上述引线框架分离的工程。45.一种树脂封装型半导体装置之制造方法,其特征为具有:准备具有可支撑半导体晶片之突出部,及支撑上述突出部且具露出部及沟部之突出部支撑引线,及配置于上述突出部周围且具露出于封装部之半导体装置安装侧之面之周缘部的被连接部之多数引线的引线框架之工程;接合上述突出部与半导体晶片之工程;以连接构件连接上述半导体晶片之表面电极及其对应之上述引线的工程;令封装树脂回流入上述突出部之晶片支撑面及相反侧之面之同时,于半导体装置安装侧之面配置上述多数引线及上述突出部支撑引线之上述露出部,使上述突出部支撑引线之上述沟部与上述封装部之外周部对应,对上述半导体晶片进行树脂模制形成封装部的工程;及以上述突出部支撑引线之上述露出部分割上述突出部支撑引线之同时,令上述多数引线由上述引线框架之框部分离的工程。46.一种半导体装置,系由:多数支撑引线;与上述多数支撑引线一体形成的突出部;包围上述突出部般与上述多数支撑引线分离配置的多数引线;搭载于上述突出部之一主面,介由导通构件连接上述多数引线之一主面的半导体晶片;及封装上述多数引线,上述半导体晶片与上述突出部的封装树脂构成;其特征在于:上述多数引线之上述一主面之相反侧之另一主面系由上述封装树脂露出,而且,上述突出部之厚度小于上述引线之厚度。47.如申请专利范围第46项之半导体装置,其中搭载上述半导体晶片之突出部之一主面,系与上述封装树脂中引线露出之面远离之侧之突出部之主面。48.如申请专利范围第46项之半导体装置,其中上述多数支撑引线及突出部,系由和上述多数引线相同之材料形成。49.如申请专利范围第46项之半导体装置,其中上述突出部,系小于上述半导体晶片。50.一种半导体装置,系由:多数支撑引线;与上述多数支撑引线一体形成的突出部;包围上述突出部般与上述多数突出部分离配置的多数引线;搭载于上述突出部之一主面,介由导通构件连接上述多数引线之一主面的半导体晶片;及封装上述多数引线,上述半导体晶片与上述突出部的封装树脂构成;其特征在于:上述多数引线之上述一主面之相反侧之另一主面系由上述封装树脂露出,而且,上述突出部之厚度小于上述引线之厚度。51.如申请专利范围第50项之半导体装置,其中搭载上述半导体晶片之突出部之一主面,系与上述封装树脂中引线露出之面远离之侧之突出部之主面。52.如申请专利范围第50项之半导体装置,其中上述多数支撑引线及突出部,系由和上述多数引线相同之材料形成。53.如申请专利范围第50项之半导体装置,其中上述突出部,系小于上述半导体晶片。54.一种半导体装置,系由:具上面及上述上面之相反侧之下面的树脂封装部;封装于上述树脂封装部内的突出部;与上述突出部一体形成的多数支撑引线;与上述突出部分离形成,一部分被封装于上述树脂封装部内的多数引线;封装于上述树脂封装部内,具多数电极的半导体晶片;及分别电连接上述多数电极与上述多数引线的多数导通构件构成之半导体装置,其特征在于:上述突出部配置于上述树脂封装部之上面与下面之间,具上述树脂封装部之上面侧的第1主面,及上述树脂封装部之下面侧的第2主面;上述多数引线各具有:至少一部分封装于上述树脂封装部内的第1主面.及上述第1主面之相反侧之面,露出于上述树脂封装部之下面的第2主面;上述半导体晶片具有:形成有上述多数外部端子的第1主面,及上述第1主面之相反侧之面,于上述突出部之第1主面上介由接着材固定的第2主面;上述突出部之厚度,系小于上述多数引线之厚度。55.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中上述多数导通构件,系接合于上述半导体晶片之多数电极及上述多数引线之第1主面的多数导电性导线。56.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中上述多数支撑引线及突出部,系由和上述多数引线相同导电性之材料形成。57.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中上述突出部,系较上述半导体晶片小。58.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中上述多数引线,系配置于上述晶片之周围。59.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中上述突出部之厚度,系上述多数引线之厚度之一半或以下。60.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中上述突出部之第2主面,与上述树脂封装部之下面间之上述树脂封装部之厚度,系上述多数引线之厚度之一半或以上。61.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中上述多数支撑引线,系至少一部分较上述突出部变厚,上述变厚部分系露出于上述树脂封装部之下面。62.如申请专利范围第54项之半导体装置,其中上述支撑引线之第1部分,系较上述多数引线变薄,上述支撑引线之第1部分,系配置于上述树脂封装部之上面与下面之间,被上述树脂封装部封装,上述支撑引线之第2部分,系较上述支撑引线之第1部分变厚,上述支撑引线之第2部分,系开出上述树脂封装部之下面。63.如申请专利范围第62项之半导体装置,其中上述支撑引线之第2部分,系沿上述树脂封装部周缘配置,上述支撑引线之第1部分,系配置于上述支撑引线之第2部分与上述晶片搭载部之间。64.如申请专利范围第62或63项之半导体装置,其中上述多数支撑引线及突出部,系和上述多数引线以同一导电性材料形成。65.一种半导体装置,系由:具上面及上述上面之相反侧之下面的树脂封装部;封装于上述树脂封装部内,具多数电极的半导体晶片;封装于上述树脂封装部内的半导体晶片搭载部;与上述半导体晶片搭载部分离形成,一部分被封装于上述树脂封装部内的多数引线;及分别电连接上述多数电极与上述多数引线的多数导通构件构成之半导体装置,其特征在于:上述半导体晶片搭载部配置于上述树脂封装部之上面与下面之间,具上述树脂封装部之上面侧的第1主面,及上述树脂封装部之T面侧的第2主面:上述多数引线各具有:至少一部分封装于上述树脂封装部内的第1主面,及上述第1主面之相反侧之面,露出于上述树脂封装部之下面的第2主面;上述半导体晶片具有:形成有上述多数外部端子的第1主面,及上述第1主面之相反侧之面,于上述半导体晶片搭载部之第1主面上介由接着材固定的第2主面;上述半导体晶片搭载部,系和上述多数引线以相同导电性材料形成;上述半导体晶片搭载部之厚度,系小于上述多数引线之厚度。66.如申请专利范围第65项之半导体装置,其中另具有与上述半导体晶片搭载部成一体,和上述半导体晶片搭载部以相同导电性材料形成的多数支撑引线,上述支撑引线之第1部分,系较上述多数引线变薄,上述支撑引线之第1部分,系配置于上述树脂封装部之上面与下面之间,被上述树脂封装部封装,上述支撑引线之第2部分,系较上述支撑引线之第1部分变厚,上述支撑引线之第2部分,系露出上述树脂封装部之下面。67.如申请专利范围第66项之半导体装置,其中上述支撑引线之第2部分,系沿上述树脂封装部周缘配置,上述支撑引线之第1部分,系配置于上述支撑引线之第2部分与上述晶片搭载部之间。68.一种半导体装置之制造方法,系具有:准备具:第1主面,上述第1主面之相反侧之第2主面,突出部,配置于上述突出部周围之多数引线,连接上述突出部之多数突出部支撑引线,及连接上述多数引线与多数突出部支撑引线之框部,的引线框架之工程;准备具:第1主面,形成于上述第1主面之多数电极,及上述第1主面之相反侧之第2主面,的半导体晶片之工程;令上述半导体晶片之第2主面,介由接着材固定于上述突出部之第1主面上的工程;令上述半导体晶片之多数电极,与上述多数引线之第1主面分别介由多数导通构件电连接的工程;令上述半导体晶片,突出部,导通构件,多数引线之第1主面与导通构件间之连接部以封装用树脂予以封装之工程;及于上述封装工程之后,由上述引线框架之框部切断上述多数引线及上述多数支撑引线的工程之半导体装置之制造方法;上述突出部之厚度,系小于上述多数引线之厚度,于上述封装工程,系覆盖上述突出部之第2主面,且令上述多数引线之第2主面露出上述封装用树脂。69.如申请专利范围第68项之半导体装置之制造方法,其中分别电连接上述半导体晶片之多数电极,与上述多数引线之工程,系包含于上述半导体晶片之多数电极及上述多数引线,分别接合导电性导线的工程。70.如申请专利范围第68项之半导体装置之制造方法,其中上述突出部,其第2主面被蚀刻形成较薄。71.如申请专利范围第70项之半导体装置之制造方法,其中上述多数引线.其第2主面未被蚀刻。72.如申请专利范围第68项之半导体装置之制造方法,其中上述突出部,其厚度为上述多数引线之厚度之一半或以下。73.如申请专利范围第68项之半导体装置之制造方法,其中上述突出部之第1主面,系较上述半导体晶片之第2主面小。74.一种半导体装置之制造方法,系具有:准备具:第1主面,上述第1主面之相反侧之第2主面,半导体晶片搭载部,配置于上述半导体晶片搭载部周围之多数引线,连接上述半导体晶片搭载部之多数半导体晶片搭载部支撑引线,及连接上述多数引线与多数半导体晶片搭载部支撑引线之框部,的引线框架之工程;准备具:第1主面,形成于上述第1主面之多数电极,及上述第1主面之相反侧之第2主面,的半导体晶片之工程;令上述半导体晶片之第2主面,介由接着材固定于上述半导体晶片搭载部之第1主面上的工程;令上述半导体晶片之多数电极,与上述多数引线之第1主面分别介由多数导通构件电连接的工程;令上述半导体晶片,半导体晶片搭载部,导通构件,多数引线之第1主面与导通构件间之连接部以封装用树脂予以封装之工程;及于上述封装工程之后,由上述引线框架之框部切断上述多数引线及上述多数支撑引线的工程之半导体装置之制造方法;上述半导体晶片搭载部之厚度,系小于上述多数引线之厚度,于上述封装工程,系覆盖上述半导体晶片搭载部之第2主面,且令上述多数引线之第2主面露出上述封装用树脂。75.如申请专利范围第74项之半导体装置之制造方法,其中分别电连接上述半导体晶片之多数电极,与上述多数引线之工程,系包含于上述半导体晶片之多数电极及上述多数引线,分别接合导电性导线的工程。76.如申请专利范围第74项之半导体装置之制造方法,其中上述半导体晶片搭载部,其第2主面被蚀刻形成较薄。77.如申请专利范围第76项之半导体装置之制造方法,其中上述多数引线,其第2主面未被蚀刻。78.如申请专利范围第74项之半导体装置之制造方法,其中上述半导体晶片搭载部,其厚度为上述多数引线之厚度之一半或以下。79.如申请专利范围第74项之半导体装置之制造方法,其中上述半导体晶片搭载部之第1主面,系较上述半导体晶片之第2主面小。图式简单说明:图1:本发明实施形态1之笨/之外观斜视图。图2:图1之半导体装置之平面图(下面图)。图3:本发明实施形态1之单位引线部之平面图。图4:图3之单位引线部之A-A线断面图。图5:图3之单位引线部之B-B线断面图。图6:图1之半导体装置之部分透视图。图7:图6之单位引线部之C-C线断面图。图8:图6之单位引线部之D-D线断面图。图9:图6之单位引线部之E-E线断面图。图10:本发明实施形态1之半导体装置之制造方法之断面流程图。图11:本发明范围形态1之半导体装置制造之矩阵引线框架之平面图。图12:图11之矩阵引线框架之单位引线框架之重要部份扩大图(上面侧)。图13:图11之矩阵引线框架之单位引线框架之重要部份扩大图(下面侧)。图14:图12之单位引线框架之F-F线之断面图。图15:图12之单位引线框架之G-G线之断面图。图16:本发明实施形态1之半导体装置之晶片接合工程中于突出部涂敷接着剂之方法概念图。图17:本发明实施形态1之半导体装置之晶片接合工程中于突出部搭载半导体晶片之方法概念图。图18:本发明实施形态1之半导体装置之导线接合方法之概念图。图19:本发明实施形态1之半导体装置之树脂封装工程中模具与矩阵引线框架定位状态之概念图。图20:本发明实施形态1之半导体装置之树脂封装工程中模具紧闭状态之概念图。图21:本发明实施形态1之半导体装置之树脂封装工程中模具打开状态之概念图。图22:本发明实施形态1之半导体装置之安装于安装基板状态之外观斜视图。图23:图22之H-H线断面图。图24:本发明实施形态2之单位引线部之平面图。图25:图24之单位引线部之I-I线断面图。图26:图24之单位引线部之J-J线断面图。图27:本发明实施形态2之半导体装置之部分透视图。图28:图27之半导体装置之K-K线断面图。图29:第1习知技术之半导体装置之断面图。图30:第2习知技术之半导体装置之断面图。图31:本发明实施形态3之半导体装置之一例以封装部剖断之内部够ㄗㄛ之平面图。图32:图31之半导体装置之L-L线断面图。图33:图31之半导体装置组装方法之一例之制程流程图。图34(a)、(b)、(c)、(d)、(e):图31之半导体装置组装之主要工程之构造之一例之断面流程图。图35:本发明实施形态4之半导体装置之构造之一例之外观斜视图。图36:图35之半导体装置构造之底面图。图37:图35之半导体装置之M-M线断面图。图38:图35之半导体装置之N-N线断面图。图39:图35之半导体装置组装中之导线接合状态之一例之部分断面图。图40:本发明实施形态5之半导体装置中模制终了之构造之一例透过封装部表示其内部之部分平面图。图41:图40之半导体装置之P-P线断面图。图42:图40之半导体装置组装使用之引线框架之构造之一例之部分平面图。图43:图41之T部构造之扩大部分断面图。图44:图41之引线切断方法之一例之扩大部分断面图。图45(a)、(b)、(c)、(d)、(e):图40之Q部之引线构造之图,(a)为底面图,(b)为平面图,(c)为沟部断面图,(d)为(b)之U-U线断面图,(e)为(b)之V-V线断面图。图46:图40之Q部引线构造之变形例平面图。图47:图40之R部构造之扩大部分平面图。图48(a)、(b)为图40之S部构造图,(a)为扩大部分平面图,(b)为、(a)之X-X线断面图。图49(a)、(b)为图48之(a)之W部构造图,(a)为扩大部分底面图,(b)为(a)之沟部断面图。图50(a)、(b)、(c)为本发明实施形态8之半导体装置之一例,(a)为平面图,(b)为侧面图,(c)为底面图。图51:图50(c)之Y部构造之扩大部分底面图。图52:本发明实施形态9之半导体装置之模制终了之构造之一例透过封装部表示其内部之部分平面图。图53:图52之半导体装置之Z-Z线断面图。图54:图53之AAB部构造之扩大部分断面图。图55:图53之AB部之引线切断方法之一例之扩大部分断面图。图56(a)、(b)、(c)、(d):本发明之半导体装置组装使用之引线框架之加工方法之一例之蚀刻方法之部分断面图。图57(a)、(b)、(c)、(d):本发明之半导体装置组装使用之引线框架之加工方法之一例之蚀刻方法之部分断面图。图58(a)、(b)、(c)、(d):本发明之半导体装置组装使用之引线框架之加工方法之一例之蚀刻方法之部分断面图。图59(a)、(b)、(c):本发明之半导体装置组装使用之引线框架之加工方法之一例之冲孔加工方法之部分断面图。图60(a)、(b)、(c):本发明之半导体装置组装使用之引线框架之加工方法之一例之冲孔加工方法之部分断面图。图61(a)、(b)、(c):本发明之半导体装置组装使用之引线框架之加工方法之一例之冲孔加工方法之部分断面图。图62:本发明变形例之半导体装置之模制终了之构造透过封装部表示其内部之部分平面图。图63:图62之变形例之半导体装置之CC-CC线断面图。图64:本发明变形例之半导体装置模制终了之构造透过封装部表示其内部之部分平面图。 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