| 摘要 |
Une couche de sulfure est formée à la surface d'un substrat semiconducteur pour fournir une couche d'isolant ou un revêtement antiréflecteur dans des dispositifs tels que des détecteurs de radiation infrarouge. La formation de semblables couches de sulfure demande des températures élevées ou engendre des particules chargées ou une radiation de haute énergie, qui endommagent le substrat et réduisent le rendement électrique optimal du dispositif. On résout ce problème en exposant le substrat (20) à basse température à un réactif en phase de vapeur contenant un métal choisi (de la chambre 26), comme du diméthylzinc, en présence d'atomes de soufre non chargés, neutres, formés de façon à éviter la création de particules chargées et de radiation de haute énergie qui endommageraient le substrat. Les atomes de soufre réagissent avec le réactif en phase de vapeur pour former le sulfure, comme le sulfure de zinc, qui se dépose en couche à la surface du substrat (20). Les atomes de soufre neutres sont engendrés par la dissociation photochimique d'un précurseur contenant du soufre (de la chambre 28), à la suite d'une radiation d'une longueur d'onde sélectionnée (appareil 16). De plus, une couche native de sulfure peut être formée à la surface d'un substrat choisi en exposant ce substrat à des atomes de soufre non chargés, neutres, qui n'endommagent pas le substrat. |
