| 主权项 |
1.一种含有拓朴形状之表面上制成平面式遮罩所用之方法,其特征为以下各步骤:a)在含有拓朴形状之表面中对各凹口(V)进行选择式之填入;b)在已填入之表面上形成共形之遮罩层(2);c)在遮罩层(2)上形成一种抗反射层(3);d)在抗反射层(3)上形成一种光阻遮罩(4);e)使用此光阻遮罩(4)使抗反射层(3),遮罩层(2)之一部份被去除;f)使光阻遮罩(4)及抗反射层(3)被去除。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤a)中使用一种选择式氧化方法对各凹口(V)进行填入。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中在步骤d)中由矽-氧化物形成一种共形(conformal)之硬遮罩层(2)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤c)中形成一种有机及/或无机之抗反射层(3,3')。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该无机之抗反射层(3)含有SixOyN(1-x-y)。6.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中此平面式遮罩在DRAM记忆胞中是一种平坦式沟渠隔离区(6)用之STI遮罩。7.如申请专利范围第3项之方法,其中此平面式遮罩在DRAM记忆胞中是一种平坦式沟渠隔离区(6)用之STI遮罩。8.如申请专利范围第4或第5项之方法,其中此平面式遮罩在DRAM记忆胞中是一种平坦式沟渠隔离区(6)用之STI遮罩。图式简单说明:第1图 传统之光阻软遮罩之已简化之切面图。第2图 具有一种有机抗反射层之传统之BSG硬遮罩之已简化之切面图。第3图 具有一种无机抗反射层之传统之BSG硬遮罩之已简化之切面图。第4A至4F图 说明本发明制成一种平坦式遮罩所用之各别步骤之已简化之切面图。第5A至5C图 DRAM记忆胞中具有第4A至4F图中所制成之遮罩时制成一种平坦式沟渠隔离区所有之步骤之简化之切面图。 |
