单模垂直腔面发射半导体激光器

摘要

本发明公开了一种单模垂直腔面发射半导体激光器的器件结构,其结构特征是在激光器的上部布拉格反射器的顶层进行区域选择腐蚀形成一柱形结构,并保证基横模的光强主要限制在柱形中心未腐蚀的区域,而高阶横模则有较大比例的光强分光在顶层部分或全部腐蚀掉的较低反射率区域,达到抑制高阶横模的目的。部分区域腐蚀掉顶层对横向波导的影响几乎可忽略不计,因此横向光场分布可独立控制,有利于选择最佳的控制条件。

主权项

1.一种基横模垂直腔面发射半导体激光器，它包括下部布拉格反射器，含有源区的谐振腔和上部布拉格反射器，其特征在于：在基横模光场分布中心区周围选择腐蚀上部布拉格反射器，或上部布拉格反射器高折射率的顶层只在基横模光场分布中心区选择生长。