淀积高质量微晶半导体材料的方法

摘要

微晶半导体材料层的等离子体淀积方法，通过用电磁能激发包含半导体材料前体和稀释气体的工艺气体，由此产生等离子体而进行该方法。将微晶半导体材料层等离子体淀积到衬底上。工艺气体中的稀释物浓度作为已淀积的微晶半导体材料层厚度的函数变化。还公开了用这种工艺制备N-I-P型光伏器件的用途。

主权项

1. 微晶半导体材料层的等离子体淀积方法，其中用电磁能将包含半导体材料前体和稀释物的工艺气体激发，由此产生等离子体，该等离子体向衬底上淀积所述微晶半导体材料层，其中的改进包括：根据已淀积微晶半导体材料层的厚度改变所述工艺气体中稀释物的浓度。