发明名称 REDUNDANCY SIGNATURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY
摘要
申请公布号 KR950011729(B1) 申请公布日期 1995.10.09
申请号 KR19910012186 申请日期 1991.07.16
申请人 TOSHIBA CORP. 发明人 IWASE, DAIRA;DAKIJAWA, MAGOTO;ISHIGURO, SIGEHUMI;NOBORI, KAZUHIKO
分类号 G11C29/00;G11C29/04;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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