| 发明名称 | 一种形成硼磷硅玻璃膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种方法，该方法增加BPSG膜进行平面化的回流工艺后的温度线性下降速率，然后在尽可能高的温度下取出晶片，由此BPSG膜的表面变成一快速冷却区，该区的结构保持完好，BPSG膜的内部变成一慢冷却区，该区内所有材料将在回流温度进行的慢冷却之后进行结晶。 | ||
| 申请公布号 | CN1145336A | 申请公布日期 | 1997.03.19 |
| 申请号 | CN96105729.7 | 申请日期 | 1996.02.18 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 俞景植 |
| 分类号 | C03C25/02;C03C17/30 | 主分类号 | C03C25/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;邹光新 |
| 主权项 | 1.一种形成硼磷硅玻璃(BPSG)膜的方法，包括以下步骤：在晶片上形成了多个底层后，在晶片整个结构的表面上淀积一硼磷硅玻璃(BPSG)膜；将所说晶片装入一炉子；升高所说炉内温度；采用回流工艺使所说BPSG膜的表面平面化；快速冷却所说炉内温度，使所说BPSG膜的表面变成快速冷却区和使BPSG膜的内部变成慢冷却区；和取出所说晶片； | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||