| 摘要 |
<p>본 발명은 실란(silane) 화합물 및 도펀트를 감압 화학 기상 증착 반응로 내에 주입하여 웨이퍼 상에 도핑된 실리콘 막을 증착하는 단계, 및 증착 종료시에, 반응로 내에 산화 가스를 주입하여 증착된 실리콘 막 상에 산화막을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조 공정에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 증착 단계 중에 이상 성장(anomalous growth) 또는 입자와 같은 이물(foreign matter) 발생이 효과적으로 최소화될 수 있어서 생산 수율이 향상되고, 고품질 및 고신뢰도의 반도체 장치가 제공된다.</p> |
