| 发明名称 | 羰基官能化的噻吩化合物和相关的器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种经羰基官能化的低聚/聚噻吩化合物，相关的半导体元件和相关的器件结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101056873A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200580038781.2 | 申请日期 | 2005.09.14 |
| 申请人 | 西北大学 | 发明人 | 图斌·J·马克斯;安东尼奥·法克彻蒂 |
| 分类号 | C07D409/00(2006.01) | 主分类号 | C07D409/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 肖善强 |
| 主权项 | 1.一种下式的半导体化合物<img file="A2005800387810002C1.GIF" wi="863" he="373" />其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>独立地选自H、烷基、经氟取代的烷基、杂环、芳基和经氟取代的芳基，所述烷基和经氟取代的烷基为约C<sub>2</sub>-约C<sub>10</sub>；每个所述x独立地是约0-约8的整数；z是选自0和大于0的整数的整数，其中，x、y和z中的至少一个选自2和大于2的整数。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||