发明名称 具有多层处理腔室的清洗衬底的装置及其使用方法
摘要 一种用于对诸如半导体晶片的衬底进行清洗的装置,包括装载/卸载部分、在其中使晶片从水平状态转换为垂直状态的对准部分、对晶片执行蚀刻处理、漂洗和干燥处理并具有多个堆叠的处理腔室的清洗部分、以及其中设置有使得晶片在处理腔室之间移动的移动槽的接口部分。当晶片在处理腔室之间移动时,移动槽填充有去离子水(DI水),以避免晶片暴露到空气中。从装载/卸载部分中取出的晶片从水平状态转换为垂直状态,并移动到作为处理腔室的其中之一的第一处理腔室,以接受一部分处理。在晶片移动到作为另一个处理腔室的第二处理腔室以接受另一部分处理之后,它们从垂直状态转换为水平状态。也就是说,晶片沿着循环路线移动来进行处理。
申请公布号 CN100470730C 申请公布日期 2009.03.18
申请号 CN200480029395.2 申请日期 2004.10.07
申请人 细美事有限公司 发明人 林钟显;赵重根;具教旭;方寅浩;金禹泳;吴满锡;金贤钟
分类号 H01L21/304(2006.01)I 主分类号 H01L21/304(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人 余 朦;方 挺
主权项 1. 一种具有多层结构的衬底清洗装置,包括:清洗部分,包括多个具有至少一个处理槽的处理腔室,衬底在所述处理槽中进行清洗,所述处理腔室还包括用于移动所述衬底的移动设备,其中所述多个处理腔室是堆叠的;以及接口部分,衬底在所述接口部分中在所述处理腔室之间移动,所述接口部分包括:移动槽,容纳衬底,以避免衬底暴露到空气中;以及移动槽移动部分,用于使得所述移动槽能够上下移动;所述移动槽进一步包括喷嘴,所述喷嘴配置成向所述移动槽供应清洗溶液。
地址 韩国忠清南道天安市