| 主权项 |
1.一种在一半导体元件中形成一低介电常数介电层的方法,该方法至少包括:提供该半导体元件;旋涂一介电层于该半导体元件上,该介电层具有复数个未饱和碳键的成分;及以氢气处理该介电层。2.如申请专利范围第1项之方法,更包括在一充满氮气的环境中固化该介电层。3.如申请专利范围第2项之方法,更包括在一充满氩气的环境中固化该介电层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层至少包括复数个未饱和碳-碳双键的成分。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之介电层至少包括复数个未饱和碳-碳三键的成分。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层为一低介电常数的物料。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之处理步骤于温度约介于100℃至450℃之间完成。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之处理步骤用以在该介电层中形成复数个饱和碳-碳键。9.一种在一半导体元件中形成一低介电常数介电层的方法,该方法至少包括:提供该半导体元件;旋涂一介电属于该半导体元件上,该介电层具有复数个未饱和碳-碳键的成分及一具有复数个开口的图案;及以氢气处理该介电层之一表面及该等开口的侧壁10.如申请专利范围第9项之方法,更包括在一充满氮气的环境中固化该介电层。11.如申请专利范围第9项之方法,更包括在一充满氩气的环境中固化该介电层。12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之介电层至少包括复数个未饱和碳-碳双键的成分。13.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之介电层至少包括复数个未饱和碳-碳三键的成分。14.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之介电层为一低介电常数的物料。15.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之处理步骤于温度约介于100℃至450℃之间完成。16.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之处理步骤用以在该介电层中形成复数个饱和碳-碳键。17.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之半导体元件至少包括复数个导体于一内连接层上。图式简单说明:第一图为传统方法低介电常数介电质应用在单镶嵌结构中的剖面示意图;第二图为传统方法低介电常数介电质应用在双镶嵌结构中的剖面示意图;第三A至第三E图为本发明方法低介电常数介电质应用在单镶嵌结构中的剖面示意图;及第四图为本发明方法低介电常数介电质应用在单镶嵌结构中的另一剖面示意图。 |
