| 主权项 |
1.一种电浆蚀刻方法,包括藉由使用氧化矽或氮化矽或其复合膜制成的掩罩以在矽半导体基底中形成沟槽,其中,矽半导体基底的温度维持在0℃或更低,且藉由使用包括六氟化硫作为主成份之电浆蚀刻气体以形成沟槽。2.如申请专利范围第1项之电浆蚀刻方法,其中该电浆蚀刻气体包含氧。3.如申请专利范围第2项之电浆蚀刻方法,其中包含氧之该电浆蚀刻气体又包含溴化氢。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之电浆蚀刻方法,其中,在蚀刻开始之前,将基底预先冷却。5.一种电浆蚀刻方法,包括藉由使用氧化矽或氮化矽或其复合膜制成的掩罩以在矽半导体基底中形成沟槽,其中,矽半导体基底的温度维持在0℃或更低,且藉由使用包括四氟化碳作为主成份之电浆蚀刻气体并接着使用包括六氟化硫作为主成份之电浆蚀刻气体,以形成沟槽。6.一种电浆蚀刻方法,包括藉由使用氧化矽或氮化矽或其复合膜制成的掩罩以在SOI半导体基底中形成沟槽,其中,SOI半导体基底的温度维持在0℃或更低,藉由使用包括六氟化硫作为主成份之电浆蚀刻气体,以执行沟槽形成至相当于该SOI半导体基底的矽半导体层的厚度之70至90%的深度,并接着藉由使用未含氟之电浆蚀刻气体,以执行沟槽形成至余留的层厚度,亦即矽半导体层的厚度的30%至10%变成零。图式简单说明:图1系流程图,用于解释根据本发明的电浆蚀刻方法之一实施例执行的蚀刻。图2系显示用于实施本发明的电浆蚀刻方法之蚀刻设备的实施例之结构。图3(a)、(b)系剖面视图,显示本发明的实施例中所使用的样品之实施例。图4系用于解释本发明的实施例中所使用的蚀刻参数。图5(a)、(b)系剖面视图,显示本发明的另一实施例中所使用的样品之实施例。图6系流程图,用于解释根据本发明的电浆蚀刻方法之另一实施例执行的蚀刻。图7系流程图,用于解释根据本发明的电浆蚀刻方法之又另一实施例执行的蚀刻。图8(a)-(f)系剖面视图,用于解释半导体基底的沟槽之不同形状。 |
