晶体管测试电路及方法、半导体记忆装置以及半导体装置

摘要

晶体管测试电路及方法、半导体记忆装置以及半导体装置。本发明提供可对每个芯片高准确度地测定半导体装置中所含的晶体管的击穿电压的晶体管测试电路等。晶体管测试电路，其设置于半导体芯片，测定MOS晶体管的击穿电压，该晶体管测试电路包括：电压施加装置，对所述MOS晶体管的漏极、源极及栅极中的至少其中之一施加预定的测试电压；电流检测电路，当施加所述测试电压时，对从所述MOS晶体管流至负载电路的电流进行检测；电流镜电压输出电路，产生与检测出的所述电流对应的镜像电流并输出；以及比较器电路，将所述镜像电流与预定的基准电流进行比较并输出比较结果信号。

主权项

一种晶体管测试电路，其设置于半导体芯片，测定金属氧化物半导体晶体管的击穿电压，所述晶体管测试电路的特征在于包括：电压施加装置，对所述金属氧化物半导体晶体管的漏极、源极及栅极中的至少其中之一施加预定的测试电压；电流检测电路，当施加所述测试电压时，对从所述金属氧化物半导体晶体管流至负载电路的检测电流进行检测；以及电流镜电压输出电路，产生与所述检测电流对应的镜像电流并输出。