可変キャパシタアレイ装置およびその方法

摘要

本明細書は、可変キャパシタアレイ装置およびその方法を提供する。特定の構成において、装置は、可変キャパシタアレイと、バイアス電圧発生回路とを備える。可変キャパシタアレイは、逆並列構成または逆直列構成に実装される１対以上のＭＯＳキャパシタ（１２１、１２２、１２３、１２４）を含む複数の金属酸化物半導体（ＭＯＳ）可変キャパシタセルを含む。いくつかの実現例において、ＭＯＳ可変キャパシタセルは、可変キャパシタアレイの無線周波（ＲＦ）入力端ＲＦと出力端との間に互いに並列に電気的に接続されている。バイアス電圧生成回路は、ＭＯＳ可変容量セルのＭＯＳキャパシタをバイアスするためのバイアス電圧（ＶＢ１、ＶＢ２）を生成することによって、静電容量の電圧係数を低く維持し、回路の非線形性を低減する。