| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括:一插入基底,具有相对之一第一及一第二表面,一第一互连图案镶嵌于该第一表面,一第二互连图案镶嵌于该第二表面并与该第一互连图案电性连结;复数锡球岛,与该第二互连图案连结;以及一半导体晶片,接合于该第一表面之上,具有与该第一互连图案电性连结之复数电极端,该第二互连图案在该锡球岛附近具有复数焊锡流动阻挡/停止用图案以阻挡/停止焊锡自锡球岛流出。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该第二互连图案系直接由树脂层覆盖。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该阻挡/停止用图案具有复数扭结,各该扭结具有90度或小于90度之弯曲。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该等扭结包括至少四扭结。5.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该焊锡流动阻挡/停止用图案在二扭结间包括一圆形部分,该圆形部分系环绕该锡球岛。6.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该锡球岛与相对于焊锡流动阻挡/停止用图案之一相邻扭结之距离等于或小于该第二互连图案之线宽。7.一种半导体装置之制造方法,包括下列步骤:形成一晶粒焊垫及一第一互连图案于一插入基底之一第一表面上;形成一第二互连图案及复数锡球岛于该插入基底之一第二表面上,该第二互连图案电性连结于该第一互连图案,并在各该锡球岛之附近形成一焊锡流动阻挡/停止用结构;镶嵌一半导体晶片于该晶粒焊垫上;藉由复数接合线将该半导体晶片之每个电极端接合至该第一互连图案;藉由使用一胶囊型树脂层来包覆该半导体晶片及该等接合线;镶嵌并融化位于锡球岛之锡球以接合锡球与锡球岛;以及藉由使用一树脂层来覆盖该第二互连图案、该锡球及该锡球岛。图式简单说明:第1图系习知BGA类型半导体装置之上视平面图;第2图系第1图中部分互连图案之放大上视平面图;第3图系沿着第1图中I-I线与II-II线方向之组合侧视图;第4A至4G图第1图半导体装置之侧视图,显示连续之制程步骤;第5图显示习知BGA类型半导体装置没有锡阻层时,焊锡流动问题之部分上视平面图;第6图系本发明一较佳实施例之BGA类型半导体装置之侧视结构图;第7图系第6图中锡球与下互连图案之上视平面图;第8图系第7图之部分放大图;第9A至9C图系第7图中不同阻挡/停止用图案变化之上视平面图;以及第10A至10E图系本发明半导体装置之侧视图,显示连续之制程步骤。 |
