| 发明名称 |
MONOCRISTAL D'UN COMPOSE DU GROUPE IIIB-VB EN PARTICULIER DE GAAS ET PROCEDE POUR SA PREPARATION |
| 摘要 |
<P>LE MONOCRISTAL D'UN COMPOSE DU GROUPE IIIB-VB A UNE FAIBLE DENSITE DE DISLOCATION.</P><P>IL CONTIENT DE 1 10 A 8 10 CM D'OXYGENE.</P><P>UTILISATION NOTAMMENT POUR REALISER DES SUBSTRATS DE CIRCUITS INTEGRES.</P>
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| 申请公布号 |
FR2597885(A1) |
申请公布日期 |
1987.10.30 |
| 申请号 |
FR19860005969 |
申请日期 |
1986.04.24 |
| 申请人 |
MITSUBISHI MONSANTO CHEMICAL CO |
发明人 |
KOJI SUMINO, FUMIKAZU YAJIMA, TOSHIHIKO IBUKA ET FUMIO ORITO |
| 分类号 |
C30B27/02;C30B15/00;C30B29/42;H01L21/18;H01L21/208 |
主分类号 |
C30B27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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