| 主权项 |
1.一种空气脊状式半导体雷射装置,包含一介于导电型相异的第一披覆层与第二披覆层之间以三明治形式形成之活性层之结构;该第二披覆层包含一形成脊状带之上层和一位于此上层下方且突出于上层下端两侧之下层;和一形成于该第二披覆层之下层的上表面和该脊状带除了其上表面外的侧面之保护层;其中:该保护层为一以磊晶方式成长于该第二披覆层之下层的上表面和该脊状带之侧面的化合物半导体层。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该保护层为一种其导电型与该第二披覆层不同之一化合物半导体层。3.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该保护层和该第二披覆层的晶格常数的差异为等于或小于6%。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该保护层的膜厚为介于0.15微米和0.3微米之间。5.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该第二披覆层之下层的膜厚为等于或小于0.6微米。6.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该结构具有一介于该第一披覆层与该第二披覆层间而以三明治形式形成之活性层;其披覆层为包含铝镓铟磷(AlGaInP)且导电型相异的化合物半导体;和包含砷化镓(GaAs)或镓铟磷(GaInP)其中一项之该保护层。7.一种制造空气脊状式半导体雷射装置的方法,包括以下步骤:一形成多层结构之步骤;藉由磊晶成长法于一化合物半导体基板形成均包含化合物半导体层之一第一披覆层、一活性层、一第二披覆层和一接触层;一蚀刻该多层结构的接触层和第二披覆层的步骤;用以形成一脊状带,其包含该接触层、该第二披覆层的上层和突出于其上层下端两侧之该第二披覆层的下层;一以磊晶方式成长保护层之步骤;保护层包含与该第二披覆层导电型相异之一化合物半导体层,以选择性区域方法成长于除了该接触层之上表面之外的该第二披覆层之上表面和该脊状带的侧面之上;以及一于该接触层的上表面形成金属膜之步骤;用与该接触层形成欧姆接触之一电极。图式简单说明:图1为本发明具体实施例之空气脊状半导体雷射装置的剖面图。图2A到图2C为本发明空气脊状半导体雷射装置的各制造流程步骤实施例之剖面图。图3为供一实验上比较用之比较式半导体雷射装置结构剖面图。图4系显示实验一的结果之线图,系此比较式半导体雷射装置,其作用时间与恶化速率的相对应关系。图5系显示实验二的结果之线图,系此样本式半导体雷射装置,其作用时间与恶化速率的相对应关系。图6为一传统空气脊状半导体雷射装置结构剖面图。 |
