| 主权项 |
1.一种用于半导体晶圆之清洗系统,其包括:一浴槽;至少两个同心隔间;分隔该隔间的隔墙,而在该隔间之间形成障碍;在该隔墙之顶部形成之波纹,以引起水层流;容纳该晶圆之晶舟,于该隔间之内隔间中;清洗水之入口,位于该内隔间隔壁之第二隔间之底部,让清洗水充满该第二隔间,溢出该清洗水至分隔该内隔间和该第二隔间之隔墙的顶部,并且清洗该晶圆;以及清洗水之出口,位于该浴槽之底部。2.如申请专利范围第1项所述之清洗系统,其中提供一第三隔间于该第二隔间外面。3.如申请专利范围第2项所述之清洗系统,其中该第二隔间与该第三隔间的隔墙高于该内隔间与该第二隔间的隔墙。4.如申请专利范围第1项所述之清洗系统,其中该波纹为V形。5.如申请专利范围第2项所述之清洗系统,其中该第二隔间与该第三隔间的隔墙之波纹具有较该内隔间与该第二隔间的隔墙之波纹为宽的间距。6.如申请专利范围第1项所述之清洗系统,其中该出口包括许多的孔洞。7.如申请专利范围第6项所述之清洗系统,其中该孔洞为不均匀的大小和不均匀的密度,以便引起该清洗水的均匀流动。8.如申请专利范围第1项所述之清洗系统,其中该清洗水的入口位于该浴槽之前端。9.如申请专利范围第1项所述之清洗系统,其中该清洗水的入口包括许多的孔洞。10.一种在浴槽中以清洗水清洗半导体晶圆之方法,该浴槽具有超过一个以上的隔间和在任何两个隔间之间的隔墙,该方法之步骤包括:拦阻该清洗水于一水包围室(water lock)中;升高该水闸中清洗水之水位;将该清洗水溢出该水包围室并使该清洗水成波状以产生一层流;以及藉由该层流清洗该晶圆。11.如申请专利范围第10项所述之清洗方法,其在清洗步骤之后更包括分送该清洗水通过在该浴槽底部之多个出口。图式简单说明:第一图显示一般的挡片清洗台;第二图显示本案之平行向下清洗(PDR)槽;第三图显示PDR槽的横切面图;第四图显示清洗槽的上视图;第五图显示成波纹的障碍物之前视图和后视图;以及第六图显示PDR槽之不同设计在粒子数上的改善。 |
