发明名称 |
用于半导体掩模孔洞的边缘补值的样型补值法 |
摘要 |
一种用于在半导体掩模上的至少一孔洞边缘补值的样型补值方法。所述曝光和补值制作方法被模块化。一补值数据库根据特征尺寸及欲被曝光的图案来建立。在本发明的方法中,首先建立欲曝光的环境,然后找出特定的曝光模块。模块的补值结果预先建立及储存在一通过衍射操作的数据库中,例如OPC方法。有关于晶片的单位的掩模上的一孔洞的补值可以直接使用一储存值来被执行。因而能够大大地减少复杂的计算。所述方法能够根据产品及曝光图案的特征尺寸来调整。所述方法能够使用于一掩模表面上随机分散的孔洞,以便能有效地确定补值区域。 |
申请公布号 |
CN1599029A |
申请公布日期 |
2005.03.23 |
申请号 |
CN200410039742.1 |
申请日期 |
2004.03.16 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
林顺利;简祯富;邓景丰 |
分类号 |
H01L21/027;G03F7/00;H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
张浩 |
主权项 |
1.一种用于在一半导体掩模上的至少一孔洞补值边缘的样型补值方法,所述掩模被提供于一用以形成元件的晶片上所形成的一接触层上,光线照射至所述孔洞内以形成所述孔洞的影像于所述接触层上,由此所述晶片被掺杂以形成半导体元件,所述掩模被分害成若干单元并且至少一单元具有一孔洞,所述方法至少包括下列步骤:确定一围绕住所述掩模上的所述孔洞的区域,所述区域包含有若干单元;选定一毗邻于欲被补值的一选定边缘的样型,所述样型包含有所述孔洞及所述区域中的部分单元;根据所述样型上的孔洞与单元的衍射结果来确定所述补值长度;以及补值所述至少一孔洞的所有边缘。 |
地址 |
中国台湾 |