GaN基Ⅲ－Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法

摘要

在此提供一种GaN基III－V族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该GaN基III－V族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间夹着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。

主权项

1.一种发光器件，其中包括：高阻蚀性基片；其间设置有高阻蚀性基片的第一和第二电极；以及形成在高阻蚀性基片和第二电极之间用于产生激光的材料层，其中高阻蚀性基片的一个区域被除去，并且第一电极通过高阻蚀性基片的被除去区域与该材料层相接触。