发明名称 |
位线结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及包含表面位线和埋藏的位线(5,SL)的位线结构,其中该埋藏的位线形成在沟槽(T)的上段中,并经第一连接层(11)连接到有关的第一掺杂区(S)。此外,通过第二沟槽隔离层(4)与该埋藏的位线(5,SL)隔离的第一沟槽填充层(3)处于沟槽(T)的下段中。 |
申请公布号 |
CN1788343A |
申请公布日期 |
2006.06.14 |
申请号 |
CN200480013022.6 |
申请日期 |
2004.04.21 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
R·卡科施克;F·舒勒;G·滕佩尔 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8246(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;梁永 |
主权项 |
1、一种位线结构,包括:衬底(1,100,101),在该衬底中形成深沟槽(T);第一沟槽隔离层(2),其形成在沟槽表面上;第一沟槽填充层(3),其形成在所述第一沟槽隔离层(2)的表面上并填充所述沟槽(T)的下段;第二沟槽隔离层(4),其形成在所述第一沟槽填充层(3)的表面上;用于形成埋藏的位线(SL)的第二导电沟槽填充层(5),其形成在所述第二沟槽隔离层(4)的表面上并填充所述沟槽(T)的上段至少部分地直到所述衬底表面,;至少一个第一导电型(n)的第一掺杂区(8,S),其形成在所述衬底(101)的表面中;至少一个第一导电连接层(11,13A),其被形成用于将所述第一掺杂区(S)电连接到在所述第一掺杂区(8,S)的表面上的第二沟槽填充层(5,SL)、所述第一沟槽隔离层(2)和第二沟槽填充层(5,SL);至少一个第一导电型(n)的第二掺杂区(8,D),其形成在所述衬底(101)的表面中;表面电介质(7,10,12,12A,12B),其形成在所述衬底(101)的表面上和所填充的沟槽(T)的表面上;表面位线(DL),其形成在所述表面电介质的表面上;和至少一个第二连接层(13),其被形成用于将所述表面位线(DL)连接到所述表面电介质中的至少第二掺杂区(8,D)。 |
地址 |
德国慕尼黑 |