| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 미세 패턴 변위(critical dimension pattern displacement) 측정 방법에 관한 것이다. 본 발명은 라인 형태의 제1층 테스트 모듈과 제2층 테스트 모듈을 각각의 레티클(reticle)상에 작성하는 단계와; 기판 층을 제공하는 단계와; 기판 층상에 제1층 테스트 모듈을 전사시켜 제1라인을 형성하는 단계와; 제1라인이 형성된 기판 층상에 감광막(photoresist)을 도포하는 단계와; 제2층 테스트 모듈을 전사시켜 기판 층상에 제2라인을 형성하는 단계와; 제1라인과 제2라인을 오버레이(overlay)시키는 단계와; 오버레이되는 제1라인과 제2라인의 일측 및 타측 간격을 측정하는 단계와; 측정되는 일측 및 타측 간격의 차 값을 연산하는 단계로 이루어진다. 따라서, 본 발명은 패턴의 고집적화 및 조명계의 발달에 적응적으로 대처하여, 보다 정확하고 미세한 패턴 변위 측정을 수행할 수 있는 효과가 있다.</p> |
