半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法。首先，形成一第一氧化层及一氧化层于一基材上，基材具有一第一区域及一第二区域。氮化物层中包含有氮原子。其次，氧化氮化层。氮化层中一部分之氮原子系移动至第一氧化层及基材中，且氮化层之上部系转化（convert）为一上氧化层。接着，移除对应于第二区域之上氧化层、氮化层及第一氧化层。再者，成长一第二氧化层于第二区域之基材上。第二氧化层中包含有氮原子。