| 摘要 |
フォトダイオード（ＰＤ）が配置されている領域を覆う態様で、ゲート電極（ＮＬＧＥ、ＰＬＧＥ）の側壁面にオフセットスペーサ膜（ＯＳＳ）が形成される。次に、オフセットスペーサ膜等を注入マスクとして、エクステンション領域（ＬＮＬＤ、ＬＰＬＤ）が形成される。次に、フォトダイオードが配置されている領域を覆うオフセットスペーサ膜を除去する処理が施される。次に、ゲート電極の側壁面にサイドウォール絶縁膜（ＳＷＩ）が形成される。次に、サイドウォール絶縁膜等を注入マスクとしてソース・ドレイン領域（ＨＰＤＦ、ＬＰＤＦ、ＨＮＤＦ、ＬＮＤＦ）が形成される。 |
