| 摘要 |
본 발명은 인덕터를 다른 능동 소자와 함께 동일 반도체 기판 상에 형성한 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 장치는 기판과, 이 기판 상에 형성되어 기판의 불순물 농도보다 낮은 불순물 농도를 갖는 반도체층(고저항 반도체층) 또는 기판보다 불순물 농도가 낮은 제 1 도전형의 제 1 반도체층(고저항 반도체층) 및 그 위의 제 2 도전형의 제 2 반도체층과, 이 고저항 반도체층(반도체층, 제 1 반도체층) 상에 형성된 절연막과, 이 절연막 상에 형성된 인덕터를 가지고 이루어진다. 본 발명의 제조 방법은 기판 상에 상기 기판보다 불순물 농도가 낮은 반도체층 또는 낮은 불순물 농도의 제 1 도전형의 제 1 반도체층 및 그 위의 제 2 도전형의 제 2 반도체층을 연속하여 형성하고, 반도체층 또는 제 2 반도체층 상에 절연막을 형성하며, 절연막 상에 도전막을 형성하며, 도전막을 스파이럴형으로 패터닝하여 인덕터를 형성한다. |
