| 主权项 |
1.一种溅镀靶表面清洁方法,适用于一溅镀设备上,该方法包含下列步骤:使该溅镀设备进行一第一阶段溅镀制程,以一第一反应气体对该溅镀靶表面进行离子轰击达一第一时间;以及使该溅镀设备进行一第二阶段溅镀制程,以一第二反应气体对该溅镀靶表面进行离子轰击达一第二时间,进而清洁该溅镀靶表面,其中该第一反应气体之动能系大于该第二反应气体之动能。2.如申请专利范围第1项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该溅镀靶之材质为导体。3.如申请专利范围第2项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该溅镀靶之材质为金属。4.如申请专利范围第1项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该等反应气体系为惰性气体。5.如申请专利范围第1项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该溅镀靶之材质为钼化钨。6.如申请专利范围第5项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该第一反应气体系为氪(Kr),该第二反应气体系为氩(Ar)。7.如申请专利范围第6项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该第一时间之长度占第一时间加上第二时间长度之50%至80%,而第二时间之长度则占第一时间加上第二时间长度之50%至20%。8.如申请专利范围第6项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该氪(Kr)之流量为200sccm至300sccm间,该氩(Ar)之流量则为30sccm至80sccm间。9.如申请专利范围第8项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该氪(Kr)之流量为240sccm,该氩(Ar)之流量则为50sccm。10.如申请专利范围第1项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该第一反应气体之原子半径及原子量系大于该第二反应气体之之原子半径及原子量。11.一种溅镀靶表面清洁方法,适用于一溅镀设备上,该方法包含下列步骤:使该溅镀设备进行一第一阶段溅镀制程,以一第一反应气体对该溅镀靶表面进行离子轰击达一第一时间;以及使该溅镀设备进行一第二阶段溅镀制程,以一第二反应气体对该溅镀靶表面进行离子轰击达一第二时间,进而清洁该溅镀靶表面,其中该第一反应气体之原子半径及原子量系大于该第二反应气体之之原子半径及原子量。12.如申请专利范围第11项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该溅镀靶之材质为导体。13.如申请专利范围第11项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该溅镀靶之材质为金属。14.如申请专利范围第11项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该等反应气体系为惰性气体。15.如申请专利范围第11项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该溅镀靶之材质为钼化钨。16.如申请专利范围第15项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该第一反应气体系为氪(Kr),该第二反应气体系为氩(Ar)。17.如申请专利范围第16项所述之溅镀靶表面清洁方法,其中该第一时间之长度占第一时间加上第二时间长度之50%至80%,而第二时间之长度则占第一时间加上第二时间长度之50%至20%。18.一种溅镀靶,适用于一溅镀设备上,该溅镀靶经过下列步骤之处理:使该溅镀设备进行一第一阶段溅镀制程,以一第一反应气体对该溅镀靶表面进行离子轰击达一第一时间;以及使该溅镀设备进行一第二阶段溅镀制程,以一第二反应气体对该溅镀靶表面进行离子轰击达一第二时间,进而清洁该溅镀靶表面,其中该第一反应气体之动能系大于该第二反应气体之动能。19.如申请专利范围第1项所述之溅镀靶,其中该溅镀靶之材质为导体。20.如申请专利范围第19项所述之溅镀靶,其中该溅镀靶之材质为金属。21.如申请专利范围第18项所述之溅镀靶,其中该等反应气体系为惰性气体。22.如申请专利范围第18项所述之溅镀靶,其中该溅镀靶之材质为钼化钨。23.如申请专利范围第22项所述之溅镀靶,其中该第一反应气体系为氪(Kr),该第二反应气体系为氩(Ar)。24.如申请专利范围第23项所述之溅镀靶,其中该第一时间之长度占第一时间加上第二时间长度之50%至80%,而第二时间之长度则占第一时间加上第二时间长度之50%至20%。25.如申请专利范围第23项所述之溅镀靶,其中该氪(Kr)之流量为200sccm至300sccm间,该氩(Ar)之流量则为30sccm至80sccm间。26.如申请专利范围第25项所述之溅镀靶,其中该氪(Kr)之流量为240sccm,该氩(Ar)之流量则为50sccm。27.如申请专利范围第18项所述之溅镀靶,其中该第一反应气体之原子半径及原子量系大于该第二反应气体之之原子半径及原子量。图式简单说明:第一图:其系一般常见之金属溅镀(sputtering)设备示意图。第二图:其系本案运用其上之金属溅镀(sputtering)设备示意图。 |
