| 主权项 |
1.一种改善闸极氧化层可靠度之方法,适用于一半导体装置,包括下列步骤:提供一基底;对上述基底进行表面清洁处理;对上述基底进行第一退火处理;在氘气氛围中,对上述基底进行第二退火处理;通入氮气及氧气,以在上述基底上形成一氧化层而作为上述半导体装置之闸极氧化层;在氮气与氘气的氛围中,对上述闸极氧化层进行第三退火处理;以及在上述闸极氧化层上形成一导电层,以作为上述半导体装置之闸极电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述清洁处理系使用一稀释氢氟酸溶剂。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第一退火处理之工作压力系低于3x10-6mbar。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第一退火处理之工作温度系在800到1200℃的范围。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第一退火处理之进行时间系在30秒到60分钟的范围。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二退火处理之工作压力系5到500mbar的范围。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二退火处理之工作温度系在800到1200℃的范围。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二退火处理之进行时间系在30秒到60分钟的范围。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成上述闸极氧化层之工作压力系50到800mbar的范围。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成上述闸极氧化层之工作温度系在800到1200℃的范围。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成上述闸极氧化层系择自于利用乾氧化法及化学气相沉积法之至少一种。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第三退火处理之工作压力系50mbar到1bar的范围。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第三退火处理之工作温度系在800到1200℃的范围。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述导电层系择自于一铝金属层及复晶矽层之至少一种。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述半导体装置系一穿隧式发光二极体。图式简单说明:第1A到1F图系绘示出根据本发明实施例之制造MOS穿隧式发光二极体之剖面图。第2图系分别绘示出根据习知技术与本发明方法所制造之发光二极体,在施加6伏特电压前后,界面陷阱密度与能阶之曲线关系图。第3图系绘示出根据习知技术与本发明方法所制造之发光二极体,发光强度与施加电压时间之曲线关系图。 |
