| 发明名称 | 磁随机存取存储器中改进性能的最佳写入导体布局 | ||
| 摘要 | 公开一种改进MRAM性能的最佳写入导体布局结构。用于磁存储单元的写入导体布局结构10包括第一方向V上具有第一层宽度W<SUB>D1</SUB>和第二方向H上具有第二层宽度W<SUB>D2</SUB>的数据存储层20。数据存储层20放置于在第一方向V上具有第一宽度W<SUB>C1</SUB>的第一导体30和在第二方向H上具有第二宽度W<SUB>C2</SUB>的第二导体32。第一和第二导体分别以第一和第二方向穿过数据存储层20。W<SUB>C1</SUB>小于W<SUB>D1</SUB>，以使第一层宽度W<SUB>D1</SUB>覆盖整个第一宽度W<SUB>C1</SUB>。W<SUB>C2</SUB>小于W<SUB>D2</SUB>，以使第二层宽度W<SUB>D2</SUB>覆盖整个第二宽度W<SUB>C2</SUB>。第一和第二导体的窄宽度消除导体与数据存储层20间的不对准现象，减少了第一和第二导体上的电流所产生的写入磁场的漏泄，并可用较小的电流产生写入磁场，从而降低存储单元中的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN1172312C | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN01123065.7 | 申请日期 | 2001.07.20 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | M·巴塔查里亚;T·安东尼 |
| 分类号 | G11C11/02;G11C11/15;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种用于磁存储单元的写入导体布局结构(10)，它包括：具有第一宽度(WC1)的第一导体(30)；具有第二宽度(WC2)的第二导体(32)；以及数据存储层(20)，它设置在所述第一和第二导体(30，32)之间，并具有第一方向(V)上的第一层宽度(WD1)和第二方向(H)上的第二层宽度(WD2)，所述第一和第二导体(30，32)分别以所述第一和第二方向(V，H)穿过所述数据存储层(20)，所述第一宽度(WC1)预选为小于所述第一层宽度(WD1)，所述第二宽度(WC2)预选为小于所述第二层宽度(WD2)，其中，所述第一宽度(WC1)相对所述第一层宽度(WD1)放置，使所述第一层宽度(WD1)覆盖整个所述第一宽度(WC1)，以及所述第二宽度(WC2)相对所述第二层宽度(WD2)放置，使所述第二层宽度(WD2)覆盖整个所述第二宽度(WC2)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||