| 主权项 |
于P(或N)型半导体基板内形成必要数量之各互相绝缘之N(或P)型层,该N(或P)型层之中作为电晶体使用者,将该层作为集极,作成集极之前记N(或P)型层内形成P(或N)型扩散基极层而作为基极,该P(或N)型扩散基极层内形成N(或P)型扩散射极层而作为射极而构成电晶体(1),(17),剩余之前记N(或P)型层内形成P(或N)型扩散基极层,将扩散基极层作为电阻(14),(15)以外部份之该P(或N)型扩散基极层内形成N(或P)型扩散射极层,将扩散基极层之两端部间作为显示高电阻値之电阻体(13),又,以扩散基极层与扩散射极层构成两极体(16),(16),由电源部顺方向与两极体(16),(16)串联于前记电阻(14),(15)所分割之连接点连接前记电晶体(17)之基极,该电晶体(17)之射极与前记电晶体(1)之基极经电阻(13)加以连接为特征之电晶体之偏压电路。 |
