薄膜构造体之制造方法

摘要

本发明系关于一种使用半导体加工技术面形成之薄膜构造体之制造方法，尤指可在热收缩时减低牺牲膜与基板阎所产生之应力差之薄膜构造体之制造方法。为了达成上述目的，于本薄膜构造体之制造方法中，形成于基板(1)上之牺牲(51)，系由磷浓度值设定为高于3mo1%，低于4mo1%的PSG膜所形成。在牺牲膜(51)上形成薄膜层(53)，然后在薄膜层(53)图案化后，藉由蚀刻处理将牺牲膜(51)去除。

主权项

1.一种薄膜构造体之制造方法,包括:在基板上利用混入有浓度値高于3mol%的磷的矽氧化膜形成牺牲膜之步骤;选择性地去除前述牺牲膜之步骤;在选择性的去除后残留的前述牺牲膜上及前述基板上形成薄膜层之步骤;以及去除残留的前述牺牲膜之步骤。2.如申请专利范围第1项之薄膜构造体之制造方法,其中,前述磷之前述浓度値系设定为高于3mol%,低于4mol%之値。3.如申请专利范围第2项之薄膜构造体之制造方法,其中,前述之牺牲膜系由PSG膜所形成。4.如申请专利范围第2项之薄膜构造经之制造方法,其中,前述牺牲膜系由BPSG膜所形成。5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之薄膜构造体之制造方法,其中,前述基板系构成加速度感测器所具备之感测基板,前述薄膜层系构成前述加速度感测器所具备之具有检由加速度之功能之感测部的至少一部分。图式简单说明:第1图为说明使用本发明实施形态1之薄膜构造体之制造方法的半导体加速度感测器的要部构成俯视图。第2图为说明第1图之A-A剖面的剖视图。第3图及第4图为说明第2图所示构造的制程图。