| 主权项 |
1.一种半导体晶圆的加工方法,系对切割单晶棒所获半导体晶圆至少施予去角制程,研磨制程,蚀刻制程及镜面研磨制程,其特征在于:将上述蚀刻制程设成于硷性蚀刻后再进行酸性蚀刻,且将酸性蚀刻由氢氟酸、硝酸、磷酸、水所成酸性蚀刻液加以进行。2.一种半导体晶圆的加工方法,系对切割单晶棒所获半导体晶圆至少施予去角制程,平面磨削制程,蚀刻制程及镜面研磨制程,其特征在于:上述平面磨削制程乃在蚀刻制程之前被予以进行,且上述蚀刻制程设成于硷性蚀刻后再进行酸性蚀刻,而酸性蚀刻则由氢氟酸、硝酸、磷酸、水所成酸性蚀刻液加以进行。3.如申请专利范围第2项所述之半导体晶圆的加工方法,其中更加研磨制程,且以研磨制程,平面磨削制程,蚀刻制程之顺序进行加工。4.一种半导体晶圆的加工方法,系对切割单晶棒所获半导体晶圆至少施予平坦化制程,蚀刻制程及镜面研磨制程,其特征在于:将上述平坦化制程设于蚀刻制程之更前段,将上述蚀刻制程设成于硷性蚀刻后再进行酸性蚀刻,且由氢氟酸、硝酸、磷酸、水所成酸性蚀刻液进行上述酸性蚀刻,而上述镜面研磨制程乃在上述酸性蚀刻后进行背面研磨制程,然后进行表面研磨制程。5.如申请专利范围第4项所述之半导体晶圆的加工方法,其中上述平坦化制程系为研磨制程及/或平面磨削制程。6.如申请专利范围第4项所述之半导体晶圆的加工方法,其中上述背面研磨制程系将光泽度予以研磨成35-50%光泽度。7.如申请专利范围第2项所述之半导体晶圆的加工方法,其中系藉上述平面磨削制程将晶圆外周部厚度予以磨削成较厚。8.如申请专利范围第3项所述之半导体晶圆的加工方法,其中系藉上述平面磨削制程将晶圆外周部厚度予以磨削成较厚。9.如申请专利范围第5项所述之半导体晶圆的加工方法,其中系藉上述平面磨削制程将晶圆外周部厚度予以磨削成较厚。10.如申请专利范围第1项至第9项中任一项所述之半导体晶圆的加工方法,其中将上述蚀刻制程之全体蚀刻裕度以两面予以设于30m以下。11.如申请专利范围第1至9项所述之任一项半导体晶圆的加工方法,其中将上述镜面研磨制程之研磨裕度予以设于7m以下。12.如申请专利范围第1项至第9项中任一项所述之半导体晶圆的加工方法,其中上述酸性蚀刻液之调配时组成比为氢氟酸5-15重量%,磷酸10-40重量%。13.如申请专利范围第10项所述之半导体晶圆的加工方法,其中上述酸性蚀刻液之调配时组成比为氢氟酸5-15重量%,磷酸10-40重量%。14.如申请专利范围第1项至第9项中任一项所述之半导体晶圆的加工方法,其中述酸性蚀刻液系溶解矽达浓度10g/L以上。15.如申请专利范围第1项至第9项中任一项所述之半导体晶圆的加工方法,其中上述酸性蚀刻液之使用时组成比为氢氟酸1-7重量%,磷酸18-33重量%。16.如申请专利范围第14项所述之半导体晶圆的加工方法,其中上述酸性蚀刻液之使用时组成比为氢氟酸1-7重量%,磷酸18-33重量%。17.如申请专利范围第1项至第9项中任一项所述之半导体晶圆的加工方法,其中上述硷性蚀刻之硷性蚀刻液系为NaOH水溶液或KOH水溶液。18.一种半导体晶圆,系被施予化学蚀刻,其特征在于:其凹洞深度最大値为4m以下,波纹为0.05m以下,光泽度为20-70%。19.一种半导体晶圆,系表面被施予镜面研磨,其特征在于:其SFQRmax为0.05m以下,经镜面研磨之另一面之凹洞深度最大値为4m以下,波纹为0.05m以下,光泽度为20-70%。图式简单说明:图1为自单晶棒加工半导体镜面晶圆之制造制程示意流程图。图1(a)为本发明制造制程之例示流程图。图1(b)为本发明另一制造制程示意流程图。图2为具本发明背面研磨制程之半导体晶圆加工方法示意流程图。图3为习知制造制程之例示流程图。 |
